DDR3中的ZQ校准用于输出驱动器和 ODT ，每个DRAM的ZQ pin都被连接到外部的±1%精度的240ohm电阻，该电阻是可以在所有的Device之间共享的。 pull-up 校准 校准控制模块由如下几个部分组成：

2020年5月19日 · DDR3 ZQ校准是内存系统中的一个重要环节，特别是在嵌入式硬件设计中，它对系统的稳定性和性能有着显著影响。这份Micron Technical Note TN-41-02详细介绍了DDR3 ZQ校准的基本原理、操作过程以及其在DDR3内存模块中的...

2020年9月8日 · 具体来说，zq校准是通过让 dram 设备在一个特定的时间窗口内，通过内部的电阻电路将电流从一个端口传输到另一个端口，然后测量这个电流值，以确定 dram 中的内部电阻值。

2018年3月1日 · ZQ 校准. 如下图三所示， ZQ 是DDR3一个新增的引脚，在这个引脚上接有一个 240 欧姆的低公差参考电阻。 这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ ODCE ，On-DieCalibrationEngine ）来自动校. 验数据输出驱动器导通电阻与 ODT 的终结电阻值。

2024年12月10日 · 在 DDR内存 系统中，通常 ZQ Cailibration和Trainning是其中两个关键过程，用于确保内存控制器和DRAM（Dynamic Random Access Memory）之间的通信稳定性和 性能优化。 ZQ Calibration（阻抗校准）是一种用于调整内存接口阻抗匹配的过程. 为什么需要ZQ Calibration：因为芯片内部的240欧电阻是由CMOS构成，由于CMOS的天然特性，造成该电阻会随着PTV (制程，温度和电压)变化，因此必须对其进行校准。 而DDR内存上通常都会有一个ZQ …

2024年3月26日 · RZQ 是一个 PCB 上阻值固定的分立电阻元件，一般选取 240 欧这个阻值。 RZQ 一端连接到 DRAM 的 ZQ pin，另一端接地。 RZQ 对电阻是有要求的，首先阻值需要足够高的精度，另外阻值随温度变化的程度尽可能小。 在设计 DRAM 系统时，会根据传输线的情况，计算或者仿真出一组信号完整性最佳的控制器输出输出阻抗与 DRAM 输入输出阻抗。 在 DRAM 初始化时，通过 MRx 模式寄存器配置选取的这个最佳值。 DRAM 调节内部输入输出阻抗值，将分压后 …

2024年1月23日 · DDR（双数据率随机存取存储器）的 ZQ 校准是一种内部校准技术，用于优化 DRAM（动态随机存取存储器）的电气特性和性能。 ZQ 校准的主要作用是在 DRAM 中产生一个已知的内部电阻值，以便于控制器能够更好地进行电气调节和时序校准。 具体来说，ZQ校准是通过让 DRAM 设备在一个特定的时间窗口内，通过内部的电阻电路将电流从一个端口传输到另一个端口，然后测量这个电流值，以确定 DRAM 中的内部电阻值。 在进行ZQ校准时，控制器会向 …

ZQ校准是为了解决因为外界环境而引起的阻抗不匹配问题，通过调整内部电阻阻值实现，调节过程发生在device内部，controller只负责触发。有两个MPC 命令：ZQCal Start和ZQCal Latch。 ZQCal Start用来启动ZQ校准流程，可以触发在除了power-down状态的所有时间段。

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