ZZ is measured at IZ by given a very small A.C. current signal. Shanghai Leiditech Elec...

2023年10月17日 · Z Z ：动态阻抗（Zener Impedance），相当于稳压二极管的输出内阻，越小越好。该值随稳压二极管的工作电流 I Z 不同而不同，通常工作电流 I Z 越大，Z Z 越小。 数据手册通常不会给出 Z Z ，因为这个值也是一个范围值，数据手册通常会给出以下两个阻抗值：

CDZV6.8B is the 100mW type compact (1006 size) diode for voltage regulation. * This is a standard-grade product. For Automotive usage, please contact Sales. Zener Voltage V Z (Max.) [V]

Marking: 6M. Part #: MM1Z100. Datasheet: 896Kb/3P. Manufacturer: Microdiode Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd. Description: Silicon planar zener diode in a small plastic. 20 Results.

稽納二極體（英語： Zener diode ），是利用二極體在逆向偏壓運作下的齊納效應製成的一種電子元件元件。 由於具有穩定 電壓 功能，因此又稱為「 穩壓二極體 」（英語： regulator diode ）。

穩壓二極體，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極體。利用pn結反向擊穿狀態，其電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象，製成的起穩壓作用的二極體。

ZENER VOLTAGE(V Z) MEASUREMENT - Zener voltage guaranteed when measured at 0.375"(9.5mm) from the body under 40ms ±10ms current pulse and ambient temperature of 25°C 3. ZENER IMPEDANCE (Z Z) DERIVATION - The zener impedance is derived from 60 cycles AC voltage, which results when an current having an rms value eqal to 10% of the DC zener ...

安森美半导体提供多种类型齐纳二极管，用于稳压电路。 您可在此页面查看相应齐纳二极管的参数、型号、电路等信息。

Zener是一名美国的物理学家，1930年从哈佛大学博士毕业，是他首次描述了齐纳二极管的 反向击穿特性。 齐纳二极管被重度掺杂以降低击穿电压。 这导致了一个非常薄的耗尽区域。 因此，在耗尽区域内存在一个强电场。 在齐纳击穿电压（VZ）附近，电场的强度足以将电子从其价带中拉出来并产生电流。 击穿电压小于约5V的齐纳二极管属于齐纳击穿。 那些击穿电压大于5V的齐纳二极管属于雪崩击穿。 然而，这两种击穿类型都被称为齐纳二极管。 其击穿电压从小于1V到超 …

2018年8月31日 · 稳压二极管有一定的电阻，通常称为动态电阻RZ（zener resistance）或动态阻抗ZZ（zener impedance），它是指稳压管两端电压变化与电流变化的比值，可由下式所得：