PHEMT是对 高电子迁移率晶体管 （HEMT）的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET）。 虽然普通结构的HEMT具有很好的高频、高速性能，但是也存在有一个很大的问题，那就是其性能的温度稳定性较差。 经过研究发现，这与n-AlxGa1-xAs中出现的一种陷阱——“DX中心”有关。 这种DX中心能俘获或放出电子，使得HEMT中的 二维电子气 （2-DEG）浓度将随温度而变化，从而导致HEMT的阈值电压不稳定，特别是在低温下，由于DX中心存储电 …

GaAs pHEMT 包括漏极、源极、栅极、GaAs盖帽层、N型的 AlGaAs势垒层 、AlGaAs隔离层、 lnGaAs沟道层 、GaAs缓冲层和GaAs 衬底。 其中由 AlGaAs/lnGaAs/GaAs构成的异质结构为GaAs pHEMT的核心结构 。

HEMT transistors are able to operate at higher frequencies than ordinary transistors, up to millimeter wave frequencies, and are used in high-frequency products such as cell phones, satellite television receivers, voltage converters, and radar equipment.

2022年5月16日 · 伪形态高电子迁移率晶体管（phemt）是单片微波集成电路（mmic）设计人员和晶圆厂用来开发和制造微波集成电路的一种技术。 pHEMT因其卓越的宽带性能特性，包括低噪声系数，高OIP3和高达40 GHz及以上的出色可靠性，作为电子制造商（如Mini-Circuits）生产的许 …

The development of the pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) was a result of the convergence of several factors. These factors included an interest in the behavior of quantum well structures (including superlattices) and development of the concept...

L. Aucoin GaAs-based high-electron mobility transistors (HEMTs) and pseudomorphic HEMT (or PHEMTs) are rapidly replacing conventional MESFET technology in military and commercial applications requiring low noise figures and high gain, particularly at millimeter-wave frequencies.

有针对噪声特性的研究数据表明了，PHMET能够提供比MESFET更小的偏置电流敏感性vs噪声性能。 InP 基的HEMT能够提供性能极好的低噪声特性。 InP的器件通常也是光电领域最优的选择，在光电领域通常需要考虑兼容InP的光器件、工作频率超过40GHz。 下图显示了不同材料、不同管子工作频率vs噪声系数的关系。 从图中可以看到InP的HEMT采用了晶格匹配和应变设计的方案下，90GHz对应的噪声系数在1.2dB左右。 HBT在低频段的噪声通常比较小。 通过优化设计 …

2024年9月11日 · PHEMT的双异质结结构提高了器件阈值电压的温度稳定性，并改善了器件的输出伏安特性。 这使得PHEMT具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等优势。 在制作PHEMT时，为克服InGaAs/GaAs异质结界面因晶格失配产生的应力影响，通常将InGaAs层生长得非常薄（厚度约为20nm），以吸收应力。 这种存在晶格畸变的薄膜被称为赝晶膜。 因此，这种HEMT被称为赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）。 这种 …

Cross+ectional transmission electron microscopy (TEM) images from the deteriorated devices reveal the existence of a damaged recess sufuce region at the drain side ofthe

The development of the pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) was a result of the convergence of several factors. These factors included an interest in the behavior of quantum well structures (including superlattices) and development of the con­