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30.sab是什幺的缩写? 目的为何？ 答：SAB：Salicide block, 用于保护硅片表面，在RPO (Resist Protect Oxide) 的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide)

SAB：(Self-Aligned Block, SAB）自对准硅化物 阻挡层 ，保持部分特殊设计的区域不会生长salicide，通过阻断Si和NiPt的接触，阻止Salicide的生长。 SAB & Salicide： SAB和salicide可以来对照理解，SAB就是为了防止有的区域生长salicide而做的阻挡。

SAB指的是salicideblock. Salicide中文翻译过来就叫硅化物，其实是比较薄的一层金属和多晶的合金体，其主要目的是在多晶硅或者diffusion表面相对比较薄的一层上面生长出一层（或者是淀积）金属－硅的硅化物，目的是降低多晶上的电阻率。

答：阈值电压（Threshold Voltage），就是产生强反转所需的最小电压。 当栅极电压Vg<Vt时, MOS处于关的状态，而Vg〉=Vt时，源/漏之间便产生导电沟道，MOS处于开的状态。 39. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Vt? 答：Poly CD、Gate oxide Thk. (栅氧化层厚度)、AA (有源区)宽度及Vt imp.条件。 40. 什幺是Ioff? Ioff小有什幺好处. 答：关态电流，Vg=0时的源、漏级之间的电流，一般要求此电流值越小越好。Ioff越小, 表示栅极的控制能力愈好, 可以避免不必要的漏 …

答：p+ implant的anneal 在sab形成之后，目的是用sab掩盖于表面以避免boron在高温情况下溢出表面。 两者的顺序不可调整，因为N+ IMPLANT注入的是P或AS，质量重，比较稳定。

2018年9月15日 · SAB薄膜的材料包括富硅氧化物SRO（Silicon Rich Oxide）、SiO2、SiON和Si3N4。 其中，SRO薄膜的硅含量比常规的氧化硅薄膜大，SRO的制备与常规氧化硅大致相同，都可以通过PECVD淀积，气体源是SiH4、O2和Ar。

SAB W 95.1000 TL – also available in FA-FR. The special TL sandwichpanels have a trapezoidal profile with a crown hight of 30 mm. It has an improved joint. The prefabricated element without thermal bridges and with sealant in the joint guarantees a U value of 0.26. This is a …

2024年10月3日 · 如上图，Contact 是指连接晶体管的源极、漏极与上层金属互连线之间的电气接触孔，一般以W（金属钨）来填充。 Contact使电流在晶体管和金属互连层之间能够流动。

SAB W 100.1100 – also available in FA-FR. Sandwich panels for the facade or as an interior wall with visibly screwed fixings. With a core thickness of 100 mm, the u-value is 0.21 W/m2K. The SAB W 100.1100 is available in FM Approved and FR version, see explanation and overview of products on the fire safety page. Working width is 1100 mm.