about cxmt 长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售。 创立于2016年，长鑫存储总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。

Fig. 1 shows a DRAM roadmap from major and minor players, including Samsung, Micron, SK Hynix, Nanya, PSMC, and CXMT. Three major players, Samsung, Micron, and SK Hynix already revealed D1z and D1a products which have 15 nm and 14 nm-class cell design rule (D/R) for DDR4, DDR5 and LPDDR5 application.

长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片 (DRAM)的设计、研发、生产和销售。 创立于2016年，长鑫存储总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发中心和分支机构。 长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款DRAM商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。 我们将凭借值得信赖的产品和服务满足不断增长的市场需求，致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储公司，以存储科技赋能信 …

2019年8月26日 · 长鑫储存技术（Changxin Memory Technologies，简称CXMT，前身为合肥睿力集成电路（Innotron Memory，又称合肥长鑫））。2016年在安徽省合肥市政府等的支持下成立，是国内三家国家战略级存储芯片公司之一，其和福建晋华、长江存储被合称为中国制造2025计划 …

快科技2月12日消息，据韩国媒体报道，长鑫存储（CXMT）正在加速开发下一代DRAM技术，其并未按原计划为首款商用DDR5产品采用的17nm,而是直接采用了16nm制程技术。

2025年1月31日 · TechInsights 在光威 DDR-6000 UDIMM 模块中发现了 CXMT 的新型 16 nm DRAM 芯片，证实了中国内存行业的进步。CXMT 16 Gb DDR5 芯片尺寸为 67 平方毫米，密度为每平方毫米 0.239 Gb。DRAM 单元比 CXMT 之前的 G3 代小 20%。 这是该公司从 23 nm (G1) 和 18 nm (G2) 节点发展而来。

2025年1月31日 · 近期，有消息传出，中国内存厂商长鑫存储（CXMT）已经成功在10纳米级DRAM工艺中采用了D1z（16纳米及以下）技术，并实现了量产。 这一消息震惊了业界，三星电子更是迅速向中国派遣了调查团，意图深入了解中国半导体的追赶速度。 CXMT技术突飞猛进，三星实地探查究竟. 在DRAM工艺领域，10纳米级的技术迭代依次为D1x→D1y→D1z，线路宽度逐步缩小，意味着在相同面积内可以集成更多的数据存储单元，从而提高存储密度、降低功耗。 D1a …

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Founded in 2016, CXMT manufactures dynamic random-access memory (DRAM) chips that power mobile phones, PCs, tablets, servers and other consumer products and applications. CXMT specializes in DRAM design, manufacturing, sales, and R&D. With strong R&D capacity, CXMT has already launched several DRAM products.

2025年2月1日 · 聚焦于半导体行业的知名研究公司TechInsights表示，在光威DDR5内存与致态TiPro9000固态硬盘中，中国厂商——长江存储（YMTC）与长鑫存储（CXMT）均取得了重大技术突破。