MOS管形成电容的主要原理，就是利用gate与沟道之间的 栅氧 作为绝缘介质，gate作为上极板，源漏和衬底三端短接一起组成下极板。 以下图的NMOS管为例。 Figure 1. NMOS的剖面图. 它的源漏和沉底连到一起到地，gate上有一个电压源。 当gate的电源大到一定程度，超过 阈值电压 VTH，会引起源漏之间出现 反型层，即沟道形成，这样栅氧就充当了gate与沟道之间的绝缘介质，一个电容就形成了。 这个电容的单位面积大小，与栅氧的厚度和介电常数有关。 如果gate …

acronym MOS stands for metal–oxide–semiconductor. An MOS capacitor (Fig. 5–1) is made of a semiconductor body or substrate, an insulator film, such as SiO2, and a metal electrode called a gate. The oxide film can be as thin as 1.5 nm. One nanometer is equal to 10 Å, or the size of a few oxide molecules.

2021年3月19日 · MOS cap 一般操作在 inversion 區，C-V 曲線不線性且陡峭，通常用在固定 gate voltage 穩壓電容。

MOS Capacitors: Where do the electrons in the inversion layer come from? Diffusion from the p-type substrate? If we relied on diffusion of minority carrier electrons from the p-type substrate it would take a long time to build up the inversion layer charge.

What are the different bias regions in MOS capacitors? What do the electric field and electrostatic potential look like? What is the Debye length? What does the capacitance look like as a function of bias? Last time, we discussed the basic operation of the MOSFET...

2021年5月12日 · 在90nm以上采用单个mos做decap不管用nmos和pmos都差不多，不过建议采用pmos，因为pmos的gate leakage会好些 ...

电源和地之间加滤波电容，可以直接用NMOS或PMOS,因为电源和地之间的电位差足够高，强反型形成的沟道电容也是足够大，反型层越强，相当于等效的两极板离得越近。 MOM电容就是金属电容，单位面积电容值偏小，如果空间允许， PVT 条件下，电容值得变化还是比较小的。 常用电容类型用法——Varactor, NCAP, NPMOS, MOM Varactor和NCAP其实是同一种device, 只是抽取不同的model. 二者均是让device工作在积累区。基本原理是：在Psub的工艺中，Varactor …

2005年1月27日 · pmos cap is formed between gate and channel so, both drain and source r connected to gnd. nmmos cap is formed between gate and substrate so, both r connected to gnd. the difference between these is that the capacitance of pmos cap is more than nmos cap.

2008年3月24日 · MOS Varactor分为两种，反型模式（Inversion-Mode）和积累模式（Accumulation-Mode），其中Inversion-Mode是由一般的MOS管通过一定的接法来实现，而Accumulation-Mode则是应该将做在N阱里的PMOS的源漏的P+注入换成N+注入，这在论文“On the use of mos varactor in RF VCO's”中提到过，文中也 ...

2024年10月16日 · 文章详细解释了MOS电容的工作原理，包括其定义、不同工作状态（堆积、耗尽、反型）下的电容特性，以及能带分析。 重点介绍了如何通过控制电压实现可变电容的应用，特别强调了在NMOS中的使用和没有反型区域的情况。 MOS电容是 集成电路 中非常重要的应用，器件电容的定义为： 阈值反型点： 当达到最大耗尽宽度且反型层电荷密度为零时的情形。 此时得到最小电容. C d e p C_ {dep} C dep 的串联。 最后当 V GS 超过. MOS电容有三种工作状态： …