通过 微影技术 将PLDD掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成PLDD的光刻图案，非PLDD区域上保留光刻胶。 PLDD是用于控制PMOS管漏极轻掺杂，削弱HCI效应。 PLDD掩膜版是通过逻辑运算得到的。 AA作为PLDD光刻曝光对准。 图4-53所示为电路的版图，与图4-47比较，它多一层P+，工艺的剖面图是沿AA'方向。 图4-54所示为PLDD光刻的剖面图。 图4-55所示为PLDD显影的剖面图。 4）量测PLDD光刻套刻，收集曝光之后的 PLDD光刻与AA的套刻数据。 5）检查显 …

2013年8月23日 · 最近在看smic180nm的工艺，看到有这么几层不知道是干什么的，NLL（1.8v NLDD Implantation）、PLL（1.8v PLDD Implantation）、NLH（5v NLDD Implantation）、PLH（5v PLDD Implantation）.从网上查到了一些内容，说LDD是浅掺杂源漏的意思，在短沟道器件下减小源漏的电场强度用的。

经皮激光椎间盘汽化减压术（PLDD，Percutaneous Laser Disc Decompression） 是治疗颈、腰椎间盘突出的新方法。 治疗过程用一根纤细的光导纤维发出脉冲激光，将突出的椎间盘部分髓核汽化，减轻或去除对神经的压迫、刺激，从而达到改善症状的治疗目的。

2024年5月2日 · STI填充：HDP高密度等离子淀积STI槽，用其他机器填充会提前将STI槽封死，里面会出现空洞，HDP机台是一遍淀积，一遍刻蚀，可以防止提前封口； （5）简单的做法是直接CMP将二氧化硅磨平，但一般该步骤直接CMP会造成STI表面下陷，STI槽不满的情况，一般还会再加一层，将STI区域保护起来，将中间区域刻蚀掉，然后再CMP，这里简化处理。 （6）热磷酸腐蚀掉氮化硅，这个不叫常规； 4. Nwell光刻、注入： 光刻前都有一层pad oxide，这里也没 …

2011年8月4日 · 随着栅的宽度不断减小，栅结构下的沟道长度也不断的减小， 为了有效的防止短沟道效应，在集成电路制造工艺中引入了 轻掺杂漏工艺（LDD），当然这一步的作用不止于此，大质量材料和表面非晶态的结合形成的浅结有助于减少源漏间的沟道漏电流效应。 同时LDD也是集成电路制造基本步骤的第四步。

2024年4月28日 · 脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，简称PLD）是一种先进的薄膜制备技术，它利用高能脉冲激光束照射固体靶材，产生高温等离子体，进而在基底上形成薄膜。 这项技术自1987年首次成功用于制备高温超导薄膜以来，已经得到了广泛的研究和应用。 基本原理. 激光与靶材作用：高能激光束聚焦在靶材表面，产生高温等离子体，导致靶材表面物质蒸发、熔化或烧蚀。 等离子体羽辉：蒸发的物质在激光作用下形成羽辉（Plume），这是由高能离子、电子、原 …

2011年12月26日 · 在北京率先应用“PLDD（经皮激光椎间盘减压术）” 治疗颈椎病，现已治疗颈腰椎病人300余例，收到了良好的临床疗效。 2004 年在国际上首次报道 “ 旋后肌综合征诱发加重试验的解剖与临床研究”，文中提出了作者发现的“旋后肌综合征诱发加重试验”，该试验为旋后肌综合征的诊断提供了一个客观指标。 1. 北京市出国留学生课题立项：“单开门棘突重建颈椎管扩大成形术治疗脊髓型颈椎病及颈髓损伤的临床研究”。 2万. 2. 北京市2003年引进国外技术、管理人才项 …

2023年9月16日 · 侧墙工艺是指通过形成环绕多晶硅的氧化介质层，防止重掺杂的源漏离子注入工艺把离子注入到LDD结构的扩展区，从而保护LDD结构。 侧墙是由两个主要工艺步骤形成，首先淀积一层二氧化硅，再利用各向异性干法刻蚀去除表…

多晶栅层叠图形化以后形成再氧化，补偿和主隔离结构，接着完成NMOS和PMOS的LDD和源/漏注入掺杂。 在这之后，沉积一层介质层，通过图形化，刻蚀和钨塞 (W plug)填充形成接触孔。

NLDD &PLDD 不光光是PPLUS NPLUS 做出来的用来降低hot carrier 用的。 在有的高压工艺上有单独的这两层，用来降低漏断的漂移区. 我现在用的是40VBCD工艺，看JDV上的信息NLDD层是在高压NMOS管上面有，而PLDD层是在低压的有pickup的地方有，很奇怪，无法理解. 参考高压LDMOS的设计方法. thanks.