
半导体行业知识:先进封装关键技术——RDL
RDL(Re-Distribution Layer,重布线层)为先进封装的关键互连工艺之一,可将多个芯片集成到单个封装中。 在介电层顶部创建图案化金属层的过程,将 IC 的输 入/输出(I/O)重新分配到新位置。
晶圆级封装之重新分配层(RDL)技术
2024年8月26日 · RDL是将原来设计的芯片线路接点位置 (I/O pad),通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置,使芯片能适用于不同的封装形式。 基于明阳在半导体领域的布局,先进封装载板与测试板进行工艺技术研发。 当前工艺主要分为tenting,mSAP,SAP三种,Tenting制程由于蚀刻工艺的限制, 通常难以制作线宽/线距小于30/30μm的线路,mSAP制程的是在超薄铜箔上进行线路铜的加厚,随后通过闪蚀工得到完整的导电线路。 具有制作线宽/线距小至25/25μm及 …
Measurement-based electrical characterization of through silicon …
2016年1月5日 · Measurement-based electrical characterization of through silicon via (TSV) and redistribution layer (RDL) is of great importance for both fabrication process and system design of 3D integration. This paper presents the electrical measurements and analysis of TSV and double-sided RDL test structures, from DC to high frequency up to 40 GHz. TSV ...
SEM images of cross sections of RDLs fabricated by the Cu …
Redistribution layer (RDL) is an integral part of 3D IC integration, especially for 2.5D IC integration with a passive interposer. The RDL allows for fans out of the circuitries and...
Advances in Photosensitive Polymer Based Damascene RDL …
Abstract: In this study, we demonstrate the scaling potential of our damascene redistribution layer (RDL) approach by manufacturing an RDL process using a photosensitive polymer and copper metal lines with a target pitch of $\mathrm{1}\ \mu\mathrm{m}$. Among the various advantages of using a photosensitive dielectric and a damascene approach ...
半導體之重組層材料技術 - 材料世界網
半導體用的rdl絕緣層,一重要發展趨勢即是低溫型的感光絕緣材料,較低的加工溫度可確保對高分子和元件沒有影響。 透過聚合物重新設計,以實現低固化溫度,減少封裝時的翹曲。
新型低翹曲 Hyper RDL (HRDL) 中介層 - 國立陽明交通大學 電子所 …
顯著的翹曲度減少為hrdl在高層數rdl產量和細間距rdl製造方面帶來了極大的優勢。 使用HRDL方法製作的三層堆疊RDL結構如 圖三 所示,SEM影像展示了極佳的金屬和聚醯亞胺接合界面。
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TSV-RDL 电迁移微观结构演变研究
tsv(硅通孔)为研究对象,将sem(扫描电子显微)、ebsd(电子背散射衍射)微观分析方法相 结合,对TSV-RDL(硅通孔- 再分布层)在电迁移过程中微观结构演变机制进行了研究,得出了在
數位低介電損耗重分佈層材料技術 - 材料世界網
依據The Insight Partners報告說明,全球重分佈製程(RDL)材料的市場規模在2021年估算為1億5,980萬美元,在2021~2028年間預計將以9.5%的年複合成長率擴大,到2028年達到3億160萬美元。RDL尤其在3D封裝中通過Si中介層(Through Si Interposer; TSI)的應用變得越來越重要。
Electromigration behavior comparison between through silicon via …
2 天之前 · Consequently, the microstructure of the interface area between the TDV and the TDV-RDL of all failed samples were examined and analyzed by SEM. As shown in Fig. 7, no significant abnormalities were observed in Structure A. However, the copper within the left TDV of Structure B exhibited noticeable thinning, indicating the occurrence of ...