SOP-9电气检修作业安全操作规程 - 百度文库
1) 硬塑料管适用于室内或有酸、碱等腐蚀介质的场所，不得在高温和易受机械 损伤的场所敷设。 2) 硬塑料管的连接处必须牢固、密封。 3) 明配硬塑料管穿过楼板敷设时，应加装钢管保护，其保护高度距楼板面不应. 低于 500mm。 3.4.7 电缆敷设. 1) 每根电力电缆应单独穿入一根管内，但交流单芯 2) 电力电缆不得单独穿入钢管内。 3) 穿电缆的钢管内径不应小于电缆外径的 1.5 倍。 4) 直埋电缆的埋设深度不应小于 0.7m，在引入建筑物与地下设施交叉时应采取. 销代替。 三相胶 …
Silicon Carbide (SiC) Modules | onsemi
A Silicon Carbide (SiC) Module is a power module that operates with Silicon Carbide semiconductors for its switch. The purpose of a SiC power module is the transformation of electrical power through switches to improve system efficiency.
SOP-9电气检修作业安全操作规程 - 豆丁网
2020年5月15日 · 为了确保电气检修作业工作正常进行，特制定此规定，在电气检修、保. 养、安装调试操作过程中必须严格执行。 2.0适用范围. 本规定适用于厂务部维修人员进行电气设备、系统检修、保养工作以及. 厂务部自行安装调试电气设备工作。 3.0制度正文. 3．1资质. 3.1.1操作人员应经过专业培训，取得相应作业资质后持证上岗。 3.1.2必须切实执行操作监护制度，监护人员必须具备相应资质。 3．2电工用具. 3.2.1必须使用合格安全的电工工具，严禁使用有安全缺陷以及 …
关于SO、SOP、SOIC封装(宽体、中体、窄体)的详解 - CSDN博客
2021年1月27日 · SOP（ Small Outline Package ）小外形封装，指鸥翼形 (L 形 )引线从封装的两个侧面引出的一 种表面贴装型封装。 1968 ～ 1969 年飞利浦公司就开发出小外形封装（ SOP）。 以后逐渐派生出 SOJ（ J 型引脚小 外形封装） 、TSOP（薄小外形封装） 、VSOP （甚小外形封装） 、SSOP（缩小型 SOP）、TSSOP（薄 的缩小型 SOP）及 SOT（小外形晶体管） 、 SOIC （小外形集成电路）等。 在引脚数量不超过 40 的领域， SOP 是普及最广的表面贴装封装， …
SiC MOSFETs - Silicon Carbide Devices - 意法半导 …
使用STPOWER SiC MOSFET创建比以往更高效、更紧凑的系统 借助SiC MOSFET，将创新宽带隙材料（WBG）的优势融入下一个设计。 意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围，是最先进的技术平台之一，具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。
Superior performance for high power, high frequency applications needing best-in-class power density. standard AlSiC baseplates. Copper baseplates, available, yield 10% higher current rating. SiC power modules are produced at the State-of-the-Art, Wide Band Gap development and manufacturing facility in Pompano Beach, Florida.
一文掌握SOP知识精华及编写步骤方法 - 知乎
所谓SOP，是 Standard Operation Procedure三个单词中首字母的大写，即标准作业程序（标准操作程序），就是将某一事件的标准操作步骤和要求以统一的格式描述出来，用来指导和规范日常的工作。 SOP的精髓，就是将细节进行量化，用更通俗的话来说，SOP就是对某一程序中的关键控制点进行细化和量化。 01. SOP的特征. （1）SOP是一种程序. SOP是对一个过程的描述，不是一个结果的描述。 同时，SOP不是制度，也不是表单，是流程下面某个程序中关控制点如何来 …
碳化硅（SiC）MOSFET: 相关产品 - STMicroelectronics
合规、道德、安全与隐私 道德与合规 ST道德热线 安全与隐私门户查看与碳化硅（SiC）MOSFET相关的产品
SiC Modules - Semikron Danfoss
Silicon carbide MOSFET modules and hybrid silicon/silicon carbide modules up to 600A in blocking voltages up to 1700V. A full portfolio of sixpack, half-bridge, buck/boost configurations for all applications. Industry standard packages equipped with the latest generation chips from multiple sources.
碳化硅（SiC）纵览—第 4 期：罗姆第四代 SiC MOSFET 技术评论
罗姆（ROHM） 今年发布了他们的第 4 代 (Gen 4) SiC MOSFET 产品。 新系列包括额定电压为 750 V（从 650 V 提升而来）和 1200 V 的 MOSFET，以及 56A/24mΩ 条件下的车规级TO247 封装组件。 这一阵容表明罗姆将继续瞄准他们之前取得成功的车载充电器市场。 在他们的发布声明中，罗姆声称他们的第 4 代产品“通过进一步改进原始的双沟槽结构，在不牺牲短路耐受时间的情况下，将单位面积的导通电阻比传统产品降低 40%”。 他们继续说道：“此外，与我们的上一代 …