
FinFET 12LP+ - GlobalFoundries
For RF transceivers, WiFi SoCs, data converters and voltage regulation, GF’s 12nm FinFET technology delivers the high performing analog and RF features that modern applications require.
Impact of 12nm FinFET Technology Variations on TID Effects: A ...
2025年1月10日 · Our findings show that 12LP+ n-type transistors demonstrate higher sensitivity to TID degradation of off-state leakage drain current compared to 12LP. Data indicate that for both 12LP and 12LP+, transistors with higher threshold voltages exhibit lower off-state drain-source leakage post-irradiation compared to transistors with lower threshold ...
FinFET 12LP+ - GlobalFoundries
12nm FinFET 技术是一个成熟的平台,从 GF 位于纽约的先进晶圆厂出货的晶圆已超过 200 万片,具备了高要求、大批量应用所需的功能和性能。 与前代产品相比,GF 的 12LP+ 技术具有更高的功率和密度,为日益复杂的汽车、消费、工业以及航空航天和国防应用所需的高性能提供了一站式解决方案。 对于射频收发器、WiFi SoC、数据转换器和电压调节,GF 的 12 纳米 FinFET 技术可提供现代应用所需的高性能模拟和射频功能。
格芯推出12LP+ FinFET制程,2021年正式量产-电子工程专辑
2019年9月26日 · 格芯的新型12LP+基于格芯现有的12nm领先性能(12LP)平台,与基础12LP平台相比,性能提高20%或功耗降低了40%,而且逻辑区面积减少了15%。 一个重要特性是具有高速、低功耗的0.5V SRAM位单元,用于支持处理器和存储器之间进行高速、节能的数据传输,对于计算和有线基础设施市场中的人工智能应用来说,这是一项重要要求。 12LP+还具有一些其他重要特性,使客户能够充分抓住人工智能市场上的机遇,其中包括面向人工智能应用的参考设计包以 …
格芯为高性能应用推出全新12纳米FinFET技术 - GlobalFoundries
中国上海(2017年9月25日)——格芯 (GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能 (12LP)的FinFET半导体制造工艺。 该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能,同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比,电路密度提高了15%,性能提升超过10%。 这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米 FinFET产品竞争。 这 …
格芯最先进FinFET工艺12LP+大功告成! - 知乎专栏
2020年7月2日 · 现在答案来说,其最先进的FinFET 制程工艺 12LP+宣布大功告成,以准备投产。 按照格芯的说法, 12LP+相较于12LP,性能增加了20%、规模面积减少了10%。 这些指标的提升,主要得益于性能驱动的区块优化组件、独立鳍片单元、新的低压SRAM和改进的模拟布局设计法则等。 目前,12LP+已经在AI训练芯片领域通过了IP验证,可减少生产成本、创造更大价值。 另外, 格芯 也在丰富12nmLP+的IP组合包,目标包括PCIe 3/4/5、USB 2/3主控芯片、HBM2/2e显 …
针对AI加速器优化的格芯12LP+ FinFET解决方案已准备投产
12LP+是格芯推出的差异化解决方案,针对人工智能 (AI)训练和推理应用进行了优化。 12LP+采用已验证的平台,依托稳健的生产生态系统,为芯片设计师提供高效的开发体验,助力产品快速上市。 12LP+引入了多项新特性,包括更新后的标准单元库、用于2.5D封装的中介层、低功耗0.5V Vmin SRAM位单元等。 这些特性有助于在AI处理器与存储器之间实现低延迟、低功耗数据传输,在性能、功率和面积方面的综合表现也非常出色,从而满足快速增长的AI市场的特定需求。 …
Total Ionizing Dose and Proton Characterization of 12 LP+ FinFET ...
The Total Ionizing Dose (TID) Response and Single-Event response of Global Foundries 12LP+ bulk FinFET process is characterized using Cobalt 60 gamma rays and 64 MeV proton beam. Low voltage (SG), high voltage (EG) NMOS and PMOS transistors as well as SRAM blocks are irradiated up to 300 krad(SiO2).
Optimized for AI Accelerator Applications, GLOBALFOUNDRIES 12LP…
2020年6月30日 · GF’s 12LP is being used by companies including Enflame, Tenstorrent, and others for AI accelerator applications. By partnering closely and learning from AI clients, GF developed 12LP+ to provide greater differentiation and increased value for designers in the AI space while minimizing their development and production costs.
A 12nm FinFET Technology Featuring 2nd Generation FinFET for …
We present a state-of-art 12LP FinFET technology with PPA (Performance, Power, and Area) improvement over 14LPP. 12LP enables >10% area reduction including a 7.5T library and 16% power reduction at fixed frequency or a 15% performance improvement at given leakage over 14LPP with comparable reliability and yield.