1T-SRAM is a pseudo-static random-access memory (PSRAM) technology introduced by MoSys, Inc. in September 1998, which offers a high-density alternative to traditional static random …

本文将对这四种机制的1T-DRAM进行分析，比较这四种机制的1T-DRAM之间的机理，通过对机理的分析得到不同机制的1T-DRAM的优点和缺点。 二、碰撞电离机制的1T-DRAM. 碰撞电离机 …

2021年9月9日 · In this study, we fabricated a 2 × 2 one-transistor static random-access memory (1T-SRAM) cell array comprising single-gated feedback field-effect transistors and examined …

MoSys的1T-SRAM技术使用单晶体管单元即可完成以前6晶体管单元才能完成的高频数据访问及交换工作。 因此1T-SRAM在Nintendo GameCube中的使用使得开发者们可以不再考虑以前6路 …

几年前，我们尝试用传统的晶体管来创造一种新的SRAM技术——清楚来讲，传统SRAM使用六个晶体管结构 (6T-SRAM)，而新SRAM只用单个晶体管结构 (1T-SRAM)，外加可能需要的一个 …

The 1T-SRAM design works just like an SRAM, with no wait states or other overhead for precharging or refreshing its internal DRAM cells. MoSys hides these operations with a …

2016年2月19日 · At the IEEE’s International Electron Device Meeting (IEDM) in December a start-up named Zeno Semiconductors introduced a 1-transistor (1T) SRAM. Given that today’s …

2023年9月21日 · 本文探讨了DRAM存储器为降低延时而进行的架构改进，包括VCDRAM、ESDRAM、MoSys 1T-SRAM、RLDRAM和FCDRAM。 这些设计通过引入SRAM缓存、增加 …

2019年1月24日 · 几年前，我们尝试用传统的晶体管来创造一种新的SRAM技术——清楚来讲，传统SRAM使用六个晶体管结构 (6T-SRAM)，而新SRAM只用单个晶体管结构 (1T-SRAM)，外 …

2010年10月11日 · 1T SRAM is built as an array of small banks (typically 128 rows × 256 bits/row, 32 Kbits in total) coupled to a bank-sized SRAM cache and an intelligent controller. Note that …