In semiconductor manufacturing, the 2 nm process is the next MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) die shrink after the 3 nm process node. The term "2 nanometer ", or alternatively "20 angstrom " (a term used by Intel), has no relation to any actual physical feature (such as gate length, metal pitch or gate pitch) of ...

根据电气和电子工程师协会 (IEEE) 发布的 2021 年更新的 《国际设备和系统路线图》 中的预测，「2.1 nm 节点范围标签」预计接触栅极间距为 45 nm，最紧密金属间距为 20 nm。

在 半导体产业 中， 2納米制程 是在 3纳米制程 技術水準之后的下一个 半导体制造 制程。 台积电 和 三星 皆規劃於2025年量產， 英特尔 最早宣布2027年量產，在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。 [1] 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計2.1奈米製程將在2027年量產 [2]。 2018年底，台积电董事长 劉德音 预测芯片规模将继续扩大到3nm和2nm水准； [3] 然而，到2019年，其他半导体专家还没有决定台积电的技术水准是否可以在3nm以外的水准上使用 …

2023年12月22日 · 根据集邦咨询报道，台积电正在积极推进 2nm 工艺节点，首部机台计划 2024 年 4 月进厂。 而台积电和三星都计划 2025 年开始量产 2nm 工艺芯片，双方争夺战已经打响。 目前台积电已经向苹果、英伟达等主要客户展示了 2nm 工艺原型测试结果；而三星也推出了 2nm 原型，为了吸引英伟达在内的知名客户，将提供了更低廉的价格。 据悉，台积电再度抢下苹果订单，预计用在2025年上市的iPhone17 Pro上。 从原理上说，2nm制程芯片也和以往的芯片都不 …

在半导体制造中，2nm工艺是继3nm工艺节点之后的下一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片微缩技术。 “2nm”或“20埃”（英特尔使用的术语）与晶体管的任何实际物理特征（例如栅极长度、金属间距或栅极间距）无关。 根据电气和电子工程师协会 (IEEE)发布的2021 年更新的《国际设备和系统路线图》中的预测，“2.1 nm节点范围标签”预计接触栅极间距为 45...

2021年1月7日 · 2nm、3nm、7nm是指处理器的 蚀刻尺寸。 简单的讲，就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。 芯片为什么要做得那么小? 华为 麒麟芯片 停产，是因为技术限制， 台积电 不能再为其生产相关芯片。 华为继而考虑与 中芯国际 达成合作，但并未有明显突破。 台积电优于中芯国际的地方在于，它可以把芯片做的更小。 7nm比14nm先进，5nm比7nm先进。 虽然从数字上看起来差别不大，但是实际对于芯片来说，差距极大。 要提高芯片的性 …

【CNMO新闻】5月6日，知名IT巨头IBM（国际商业机器公司）宣布，该公司已开发出全球首个采用2nm技术的芯片，在半导体设计上实现了突破。 CNMO了… 新闻报道的几nm芯片工艺包含几种不同情况，比如实验室做出器件，产线风险量产，大规模量产等等。 目前有能力生产10nm以下先进工艺芯片的只有台积电和三星，而投资一条最新5nm产线需要100亿美元。 由于IBM并没有10nm以下先进工艺晶圆厂， 所以这里开发2nm技术的芯片是在IBM的Albany研究机构中心做 …

2022年8月25日 · 总之，传统上以纳米(nm)为单位指定计算机处理单元（如CPU和GPU）上晶体管的尺寸和间距。 并且即使二维测量单位在现代芯片中不再真正有意义，5nm、3nm和2nm等名称仍然可以作为比较值来展示组件背后的技术进步。

2024年12月9日 · For TSMC, Geoffrey Yeap and colleagues report a 2 nm logic platform. Based on gate-all-around nanosheet transistors, it features a scalable copper-based redistribution layer and a flat...

2nm的GAA（环绕栅极晶体管）技术，首次使用底介电隔离通道，它可以实现12 nm的栅长，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发。 这也是第一次使用 EUV曝光 FEOL部分过程。