This device is designed for general−purpose high−voltage amplifiers and gas discharge display drivers. Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the …
2N5551(RANGE:100-150) - 立创商城
下载2N5551(RANGE:100-150)中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有三极管(BJT)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5551 Datasheet(PDF) - ON Semiconductor
Part #: 2N5551. Download. File Size: 188Kbytes. Page: 6 Pages. Description: mplifier Transistors(NPN Silicon). Manufacturer: ON Semiconductor.
2N5551_onsemi(安森美)_2N5551中文资料_PDF手册_价格-立创商城
2N5551由onsemi (安森美)设计生产，立创商城现货销售。 2N5551价格参考￥0.9564。 onsemi (安森美) 2N5551参数名称：晶体管类型：NPN；集电极电流 (Ic)：600mA；集射极击穿电压 …
NPN high-voltage transistors 2N5550; 2N5551 FEATURES •Low current (max. 300 mA) •High voltage (max. 160 V). APPLICATIONS •Switching and amplification in high voltage …
2N5551_RUILON(瑞隆源)_2N5551中文资料_PDF手册_价格-立创商城
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2N5551中文数据手册 - 百度文库
2N5551 晶体管 (NPN) 特性 z 通用开关中的应用 最大额定值 (Ta=25℃ 除非另有说明) 符号 VCBO VCEO VEBO IC PC RθJA Tj Tstg 参数 C-B极间电压 C-E极间电压 E-B极间电压 集电极电流 集 …
2N5551概述参数_中文资料_引脚图-维库电子市场网
2025年1月10日 · 2N5551是一款常见的NPN型双极结型晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备中，用于信号放大和开关作用。 集电极-发射极击穿电压 (Vceo): 最大值为160V。 集电极电流 …
2N5551 Transistor Pinout, Features, Equivalent & Datasheet
2017年12月21日 · The 2N5551 is an NPN amplifier Transistor with an amplification factor (hfe) of 80 when the collector current is 10mA. It also has decent switching characteristics (Transition …
2N5551 onsemi | Discrete Semiconductor Products | DigiKey
Order today, ships today. 2N5551 – Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226) from onsemi. Pricing and Availability on millions of …