一句话总结，3D Xpoint是可堆叠(stackable)，无晶体管(without transistor)的非易失性存储(non volatile）。看起来很美的各种NVM，尤其是PCM，学术界火了这么几年都没能在工业界有什么实质性的实现和推进，3D Xpoint无疑是相当振奋人心的。NVM，大容量内存，flashc。

pcm 由于读取时产生的热量远低于转化为结晶体所需的热量，意味着读取时不会干扰任何的存储单元。 Scalability 扩展性 由于制作工艺的提升 NAND Flash 面临着很多问题，比如耐久度的下降等。

2024年7月26日 · 3d pcm指基于三维堆叠技术，由选通单元、存储单元两部分构成的存储器，双向阈值开关为其选通单元核心组件。 3D PCM能够实现数据分层存储，为极具 ...

2024年10月4日 · PCM利用相变材料可逆转换实现信息存储，研究表明相变材料在2nm厚度仍可发生相变，有望突破存储工艺的物理极限；3D PCM有望在数据中心服务器领域大规模应用。

2024年7月19日 · 三维相变存储器（3D PCM）指利用三维堆叠技术，采用相变材料制成的存储器。 3D PCM具有稳定性好、存储密度高、可实现多值存储、循环寿命长等优势，在虚拟化服务器、云盘、云原生数据库以及云服务器等产品中应用较多。 双向阈值开关（OTS）为3D PCM核心组件，对其数据传输及读写能力起到决定性作用。 双向阈值开关主要由开关材料制成，包括碲基OTS材料、硒基OTS材料、硫基OTS材料等。 碲基OTS材料和硒基OTS材料最早由美国英特尔公司 …

如上图，一个PCM ，也就是3D XPoint的存储单元，同样它最基本的功能是提供两个稳态，能够分别表示0/1。 大体的底层实现是利用晶体的无定形态（原子的无序排列） 向 晶态变化（原子有序排列），这个过程叫做相变。

2024年9月15日 · 3-D phase change memory (PCM) is one of the most promising next-generation nonvolatile memory, and the subthreshold sensing strategy can effectively improve its limited endurance.

2024年7月18日 · 3d pcm是最先进的独立式新型存储技术之一。 3D PCM读取和编程操作都需要开启双向阈值选通器件（OTS），芯片的疲劳次数被限制在10E6，和传统存储器DRAM的10E16存在差距。

2024年5月28日 · 三维相变存储器（3D PCM）指利用三维堆叠技术，采用相变材料制成的存储器。 3D PCM具有稳定性好、存储密度高、可实现多值存储、循环寿命长等优势，在虚拟化服务器、云盘、云原生数据库以及云服务器等产品中应用较多。 双向阈值开关（OTS）为3D PCM核心组件，对其数据传输及读写能力起到决定性作用。 双向阈值开关主要由开关材料制成，包括碲基OTS材料、硒基OTS材料、硫基OTS材料等。 碲基OTS材料和硒基OTS材料最早由美国英特尔公司 …

2024年5月28日 · 3d pcm指基于三维堆叠技术，由选通单元、存储单元两部分构成的存储器，双向阈值开关为其选通单元核心组件。 3D PCM能够实现数据分层存储，为极具发展前景的存储器。