SiC单晶差不多有200种同分异构体，其中最常见的有3C, 4H, 6H结构，每种结构都有自己适合的应用领域，不存在哪种更受关注。题主想说的是在大功率器件领域4H SiC比较受关注吧。这是因为，实际生产中，3C-SiC并不稳定，在高于1900-2000℃高温下会转变为六方SiC多型体。

F-43m的碳化硅晶体就被写成3C-SiC；P63mc、Z=4的碳化硅晶体就被写成4H-SiC；P63mc、Z=6的碳化硅晶体就被写成6H-SiC。 形象的周期体现在 (110) (11-20)面上，分别对应晶面的两种写法 (hkl) (hkil)，如下图所示。 口说无凭，上电镜。 这张4H-SiC晶体中，明显出现了2H和6H的层错。 值得注意的事情是，由于碳硅的四配位要求，会出现重复位置的硅层和碳层；三层中必然有两层是同一位置的。 也就是说，A层碳会连接一层的A层硅，以及一层B/C的紧密堆积硅层。 不同 …

The 4H-SiC unit cell is two times longer, and the second half is twisted compared to 2H-SiC, resulting in ABCB stacking. The 6H-SiC cell is three times longer than that of 2H, and the stacking sequence is ABCACB.

2024年5月24日 · 4H SiC与6H-SiC的比较 总之 , 4H SiC 和 6H-SiC 之间的主要区别在于它们的晶体结构, 物理特性, 和电气性能 。 4H SiC 沿 c 轴表现出更高的热导率, 更高的电子迁移率, 适用于大功率应用. 6碳化硅, 具有较低的缺陷密度和较低的载流子复合率, 更适合高品质基材应用.

2023年10月9日 · 文章讨论了3C-SiC,4H-SiC和6H-SiC三种不同晶格结构的碳化硅半导体材料，强调它们在电子速度、杂质影响、设备可靠性和应用领域的差异。 4H-SiC和6H-SiC因具有更好的成本效益和稳定性，常用于高功率和光电子设备，而3C-SiC的高电子速度但易受杂质影响的特点限制 …

2024年9月24日 · Discover the key differences between 4H-SiC and 6H-SiC silicon carbide polytypes in our comprehensive guide. Learn how each polytype caters to specific semiconductor applications, from high-power electronics to light-emitting devices, ensuring you make a

根据电阻率不同,4H-SiC衬底可分为导电型和半绝缘型。半绝缘型SiC衬底电阻率大于10Q-cm,主要应用于制作GaN微波射频器件, 导电型SiC衬底电阻率小于30mQ.cm,主要用于制造MOSFET和IGBT等功率半导体器件。

4H-SiC，即 4h 碳化硅，具有四层重复序列的六边形晶体结构。 这种晶体结构具有哪些物理和化学特性？ 总之、 与 6H-SiC 等其他多晶体碳化硅相比，4H-SiC 具有更高的热导率、更大的带隙和更高的电子迁移率。 由于这些特性，4H-SiC 更适合用于大功率和高频率电子设备。 正如我们所看到的，4H-SiC 对多项技术的发展至关重要，从提高电子设备的能效到为航空航天和国防领域开辟新的可能性。 您准备好更多地了解 4H-SiC 及其如何为您的研究领域或行业带来变革了吗？ 请 …

2024年10月15日 · SiC晶体多型的热稳定性及发生概率各不相同，高温(约2000℃)条件下6H-、15R-、4H-SiC的发生概率高，低温(约1800℃)条件下容易产生3C-SiC。 因此，在高温环境下通过 升华法 能够得到4H-SiC、6H-SiC，而不容易生产3C-SiC晶锭。

2024年1月15日 · 4H-SiC（四面体晶系硅碳化物）是一种半导体材料，它在高温、高电压和高频应用中显示出卓越的物理特性，如高热导率、高击穿电压和高电子迁移率。肖特基接触是金属和半导体之间形成的一种特定类型的电子器件，广泛应用...