目前可以实现7nm 制程的只有台积电和三星两家，三星是从一开始就使用 EUV光刻机 来实现，而台积电则是从DUV开始实现，然后再转向EUV 。 也就是说，目前7nm 制程工艺使用DUV 和 …

In semiconductor manufacturing, the "7 nm" process is a term for the MOSFET technology node following the "10 nm" node, defined by the International Roadmap for Devices and Systems …

DUV是目前比较成熟的方案，现阶段最高采用193nm波长的深紫外光源，被广泛应用在7nm（N7)以及7nm以前的工艺里。 伴随着工艺的继续微缩，DUV已经力不从心，所以现在无 …

2023年9月6日 · 7nm工艺麒麟9000S的出现，大致有两种可能，一种是国产EUV光刻机实现突破，另一种是芯片制造商在DUV上，采用了特殊“魔法”，变相生产出了7nm工艺芯片。

2021年2月9日 · 台积电表示将继续使用DUV光刻，利用沉浸式光刻和多重曝光等技术平滑进入7nm时代，然后再转换到EUV光刻。 台积电使用DUV光刻的第一代7nm FinFET已经在2017年 …

1 天前 · 台積電的初代的7nm工藝，就完全由DUV光刻機實現。 相對於台積電的上一代主要工藝節點16nm，7nm可以提供3.3倍的電路密度。 相同功耗，可以提供35·40%的性能提升。

strating significant yield improvements for 7nm node production under DUV lithography constraints. By addressing multiple patterning, exposure parameter optimization, and …

台积电的初代的7nm工艺，就完全由DUV光刻机实现。 相对于台积电的上一代主要工艺节点16nm，7nm可以提供3.3倍的电路密度。 相同功耗，可以提供35·40%的性能提升。

2025年3月21日 · For N7, TSMC continued to use deep ultraviolet (DUV) 193 nm ArF Immersion lithography. The limitations of i193 dictated some of the design rules for the process. For the …

台积电的7nm工艺分为第一代7nm工艺（N7）、第二代7nm工艺（N7P）、7nm EUV （N7+）。 其中，N7和N7P使用的是 DUV光刻，为了用DUV制作7nm工艺，除了使用沉浸式光刻 …