Area-selective atomic layer deposition on 2D monolayer lateral ...
2024年3月8日 · In this study, we report a superlattice-based AS-ALD (SAS-ALD) process using a two-dimensional (2D) MoS2-MoSe2 lateral superlattice as a pre-defining template.
A brief review of atomic layer deposition: from fundamentals to ...
2014年6月1日 · Atomic layer deposition (ALD) is a vapor phase technique capable of producing thin films of a variety of materials. Based on sequential, self-limiting reactions, ALD offers …
Structure and properties of Al2O3 thin films deposited by ALD …
2016年9月1日 · Al 2 O 3 films was deposited by ALD method in temperature 150, 225 and 300 °C. Combined SEM, AES and ToF-SIMS studies confirmed chemical composition of the …
Low-temperature atomic layer epitaxy of AlN ultrathin films by …
2017年1月3日 · Atomic layer deposition (ALD) is an emerging and attractive technique for preparing nanoscale ultrathin films because of high uniformity over a large area, accurate...
原子层沉积（ALD）工艺揭秘：成功开发、优化和表征 ALD 工艺 …
2024年5月7日 · 原子层沉积技术（ald）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ald 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉 …
用户成果分享｜剑桥大学《EES》:Al₂O₃ 涂层到底凭什么拯 …
通过扫描电子显微镜（sem）和x射线衍射（xrd）对涂层的均匀性和厚度进行了表征，确认涂层的质量和结构。 1右图为利用图1. （a）合成后的 NMC811 和（b）ALD NMC811 次级颗粒的扫 …
Structure and refractive index of thin alumina films grown by …
2014年6月27日 · Results of spectroscopic ellipsometry (SE) reveal that the refractive indices (n) of the ALD films are systematically lower than that of crystalline α-Al 2 O 3 in the wavelength …
一文了解原子层沉积（ALD）技术的原理与特点-复纳科学仪器（上 …
原子层沉积技术（ald）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ald 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。
ACS Nano：原子层沉积二硫化钼新进展 - 知乎 - 知乎专栏
原子层沉积技术（ALD，Atomic layer deposition）是基于自限制的表面化学反应，对缺乏表面活化学反应基团的二维材料可实现选择性表面纳米晶修饰，其中NC大小可以通过循环次数来控制。
Atomic Layer Deposition on Self-Assembled-Monolayers
2013年6月10日 · Atomic layer deposition (ALD) is an advanced technique for growing thin film structures. ALD was developed by Tuomo Suntola and co workers in 1974. At first, the method …