氮化铝陶瓷基板应用——深紫外UVC-LED - 知乎 - 知乎专栏
斯利通氮化铝（aln）陶瓷电路板具有高导热系数（导热率180 w/（m-k）~ 260 w/（m-k）），满足uvc-led高散热的需求，有效的延长 uvc-led的使用寿命。 UVC LED 封装形式多样，大致可以分 …
An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of …
2006年5月18日 · Here we report the successful control of both n-type and p-type doping in aluminium nitride (AlN), which has a very wide direct bandgap 11 of 6 eV. This doping strategy …
Aluminum nitride nanowire light emitting diodes: Breaking …
2015年2月16日 · Aluminum gallium nitride (AlGaN) has attracted significant attention for deep ultraviolet (DUV) light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8,...
了解氮化铝（AlN）与UVC发光二极管（LED）-微信文章-仪器谱
2025年1月22日 · 发光二极管（led）是一种半导体器件，当电流通过时能够发光。 其原理是，p型半导体中的空穴与n型半导体中的电子复合从而产生光。 所发出光的波长取决于半导体材料的 …
Aluminum Nitride Light Emitting Diodes with the ... - LED …
2010年7月29日 · Nippon Telegraph and Telephone Corporation (NTT) has observed light of 210-nm wavelength from aluminum nitride (AlN) light emitting diodes (LED). This is the shortest …
工艺|深紫外LED的发展历程 - 知乎 - 知乎专栏
基于InGaN的 蓝光LED 实现了80%左右的电光转换效率，而266nm和300nm深紫外LED的通常只有5%-6%。 虽然效率较低，但深紫外LED的寿命却令人印象深刻。 它们的寿命通常为10,000小 …
超宽禁带AlN材料及其器件应用的现状和发展趋势 - 搜狐
2020年7月9日 · Zhao等人推出了一种在溅射淀积AlN模板上制作的AlGaN基UV - LED，把外延AlN/ AlGaN超晶格结构插入LED结构和AlN模板之间以降低位错密度，这种282 nm LED的光输出功 …
Thermal Performance of AlN-Coated High-Power LED Optimized …
2023年3月17日 · Wang et al. 18 observed that the hybrid aluminum nitride (AlN) substrate could effectively improve the efficiency and heat dissipation of multi-chip LED modules. The …
Achieving high efficiency 253 nm micro-LED by multiple nano AlN ...
2025年3月1日 · In this work, UVC micro-LEDs with high efficiency, high reliability, and high bandwidth are realized by adding AlN thin layers into the electron blocking layer (EBL), which …
Vertical semiconductor deep ultraviolet light emitting diodes on a ...
2022年5月4日 · Hitherto, however, technologically important semiconductor aluminum gallium nitride (AlGaN) deep ultraviolet (UV) LEDs are mainly through lateral injection. Herein, we …