（2） ArF、KrF光刻胶. 到了90年代末，半导体制程工艺发展到350mm以下，g线和i线光刻胶已经无法满足这样的需求了，于是出现了适用于248nm波长光源的KrF光刻胶和193nm波长光源的ArF光刻胶。它们都属于深紫外光刻胶，和g线、i线有质的区别。

2022年3月30日 · 193nm的ArF光经过纯净水的折射后，等效波长为134nm，从而实现比F2光源更高的分辨率。 目前主流采用的纯净水的折射率为1.44，ArF加浸入技术实际等效的波长：193nm/1.44=134nm。 这也是为什么台积电需要大量的水的原因之一，见：《台积电缺水，世界 …

第四代的ArF光刻机，与第三代KrF原理一样，但光源升级，采用193nm光源的光刻机，这两种称之为DUV光刻机，也叫做DUV光刻机。 而第五代叫做ArFi，前面三个字母相同，因为采用的也 …

krf光刻机和arf光刻机区别。 在半导体制造领域，KRF（KrF）光刻机和ARF（ArF）光刻机都是重要的光刻技术，它们在不同的波长范围内工作，并且具有各自独特的特点和应用场景。

2024年11月15日 · ArF（氟化氩干式光刻机）和ArFi（浸润式光刻机）的主要区别在于光源波长和是否使用浸没系统。 光源波长ARF：使用氟化氩（ArF）作为光源，波长为193纳米。

2024年9月15日 · 两款光刻机分别是氟化氪（KrF）光刻机和氟化氩（ArF）光刻机。 在A股市场上，与光刻机相关的产业链公司包括： 1. 上海微电子装备(集团)股份有限公司（SMEE）：是国内光刻机领域的重点企业，拥有SSX600系列光刻机，代表了国内顶尖水平，技术节点为90nm。

左：ArF；右：F2；ArF的光源强度是F2的10倍以上. 3、空气成分（比如氧气O2和氮气）都会强烈吸收157 nm的光，所以倘若制造出了157 nm光刻机，则必须在真空中使用。

光刻胶，知识点普及，ArF、KrF应该怎么读，为什么会作为区分光刻胶类型的代号？, 视频播放量 10369、弹幕量 9、点赞数 146、投硬币枚数 36、收藏人数 212、转发人数 78, 视频作者 硬科技新势力, 作者简介 硬科技&投资，相关视频：光刻胶为什么这么难？正是因为光刻胶行业特性，存在 …

krF光刻胶与ArF光刻胶都主要用于半导体领域，二者最大区别是光刻胶的光源波长不同，其中krf波长为248nm，arf波长为193nm，arf光刻胶的分辨率更好，技术含量更高。arf和krf都属于深紫外光范畴，也都是duv光刻机应用光源，但是光源技术上相差一代。

ArF其实是一种光源，光刻机的常见光源和波长有： 紫外光（UV），g线：436nm;i线：365nm； 深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm； 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm. 光刻机对光源系统的要求是： 1.适当的波长。 波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。 2.足够的能量。 能量越大，曝光时间就越短； 3.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。 一般采用光的 …