半导体“等离子增强化学气相沉积（PECVD）”工艺技术的详解；
等离子增强化学气相沉积，英文全称：Plasma Enhancd Chemical Vapor Deposition，简称：PECVD，它是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术。 这种技术结合了化学气相沉 …
十分钟读懂PECVD - 知乎 - 知乎专栏
PECVD技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体， …
PECVD基本原理以及系统介绍 - 知乎 - 知乎专栏
PECVD （Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition， 等离子体增强化学气相沉积 ）是一种利用等离子体辅助的薄膜沉积技术，广泛应用于半导体、微电子、光学和光伏等领域。以下 …
Low temperature plasma enhanced CVD epitaxial growth of …
2016年5月11日 · Together, TEM and XRD analysis demonstrate that PECVD enables the growth of high quality relaxed single crystal silicon on GaAs.
等离子增强型化学气相淀积（PECVD）技术分类及设备结构详解
MWECR-PECVD技术巧妙地结合了微波与磁场，利用电子的回旋共振效应在真空环境中产生高活性、高密度的等离子体，从而引发气相化学反应。 这一技术能够在低温条件下制备出高质量 …
Unaxis PECVD - UCLA Nanolab
The Unaxis 790 Series Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) system is used for the deposition of SiO2 & Silicon Nitride on Silicon and other wafers. The 790 Series …
Lpcvd、Pecvd 和 Icpcvd 工艺的比较与应用分析 - Kintek Solution
ICPCVD（电感耦合等离子体化学气相沉积） 是 PECVD 的一种高级形式，其特点是等离子体密度更高，能量分布更均匀。 因此，即使在较低的压力和温度下，也能获得出色的薄膜质量和均 …
Pecvd 工艺类型、设备结构及其工艺原理 - Kintek Solution
射频增强等离子体化学气相沉积（RF-PECVD）是一种在基底上沉积多晶薄膜的复杂技术。 这种方法利用辉光放电等离子体的能量来影响低压化学气相沉积过程，从而提高薄膜形成的质量和效 …
AXIC Benchmark 800® – Axic
The BenchMark 800 Plasma Processing System from Axic, Inc. defines a new concept in RIE and PECVD plasma processing Systems. The system is based on a modular design starting with a …
等离子体增强化学气相沉积 (Pecvd)：综合指南 - Kintek Solution
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一种多功能制造技术，它利用等离子体增强有机和无机化学单体的反应性，从而沉积薄膜。 这种反应性的提高使其能够使用多种材料作为前驱体，包 …