负责3纳米以后技术节点的多层排线技术（beol）是本文的主题。 首先，我们看下微缩化技术蓝图。 3纳米以后的CMOS逻辑电路的技术蓝图

beol由不同的金属层、局部(mx)、中间线、半全局线和全局线组成。总层数可以多达15层，而mx层的典型数量在3~6层之间。这些层中的每层都包含（单向）金属线（组织在规则的轨道中）和介电材料。它们通过填充有金属的通孔结构垂直互连。 feol和beol由mol联系在一 ...

Abstract: The integration of a three-layer BEOL process which includes an intermediate 21 nm pitch level, relevant for the 3 nm technology node, is demonstrated. A full barrier-less Ruthenium (Ru) dual-damascene (DD) metallization allowed to test different dimensions of minimum island, via extension and tip-to-tip (T2T).

To address the BEOL Cu interconnect portion of RC delays, reducing the via resistance through Tantalum Nitride (TaN) barrier layer adjustment is critical while in the meantime must meet the reliability requirement. TaN barrier on via bottom contribute …

2022年6月15日 · 为了解决上述问题，应用材料公司研发团队提出了一种通过钝化金属表面达到TaN原子沉积的选择性生长，可降低通孔电阻，该成果以“Selective Barrier for Cu Interconnect Extension in 3nm Node and Beyond”为题发表于2021 IEEE IITC（IEEE半导体互连技术国际会议），第一作者及通讯 ...

金属互连 ，芯片后段（BEOL）中的微小布线，用于分配时钟和其他信号，为各种电子系统组件提供电源和接地，并连接芯片前段（FEOL）的晶体管。互连线由不同的金属层组成：本地（local Mx），中间层（intermediate），半全局（semi-global）和全局（global）线。

2019年9月9日 · 金属互连 ，芯片后段（BEOL）中的微小布线，用于分配时钟和其他信号，为各种电子系统组件提供电源和接地，并连接芯片前段（FEOL）的晶体管。 互连线由不同的金属层组成： 本地（local Mx），中间层（intermediate），半全局（semi-global）和全局（global）线。 总层数可以多达15个，而Mx层的典型数量范围在3到6之间。 这些层中的每一个都包含（单向）金属线（或轨道）和介电材料。 它们通过填充金属的通孔结构垂直互连。 由于在在90年代中期引 …

• Can it be integrated in our BEOL 3nm vehicle? →Yes! Unbiased line roughness on target →WC is best Dry etch and wet removal for W-rich flavors

2024年12月19日 · FEOL的小型化挑战 随着技术节点不断向更小尺寸推进（如5nm、3nm），FEOL需要更先进的光刻技术（EUV）、材料工程（高k栅氧化物、应变硅）和三维器件结构（FinFET、GAA）。

2019年9月9日 · 金属互连 ，芯片后段（BEOL）中的微小布线，用于分配时钟和其他信号，为各种电子系统组件提供电源和接地，并连接芯片前段（FEOL）的晶体管。 互连线由不同的金属层组成：本地（local Mx），中间层（intermediate），半全局（semi-global）和全局（global）线。 总层数可以多达15个，而Mx层的典型数量范围在3到6之间。 这些层中的每一个都包含（单向）金属线（或轨道）和介电材料。 它们通过填充金属的通孔结构垂直互连。 由于在在90年代中期引入 …