Back end of the line or back end of line (BEOL) is a process in semiconductor device fabrication that consists of depositing metal interconnect layers onto a wafer already patterned with devices. It is the second part of IC fabrication, after front end of line (FEOL).

前沿逻辑芯片的制造可以细分为三个独立的部分：前道工序（FEOL）、中间工序（MOL）和后道工序（BEOL）。 FEOL涵盖了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶体管。 晶体管作为电气开关，使用三个电极进行操作：栅极、源极和漏极。 源极和漏极之间的导电通道中的电流可以被“开”和“关”，这一操作由栅极电压控制。 BEOL是加工的最后阶段，指的是位于芯片顶部的互连。 互连是复杂的布线方案，它分配时钟和其他信号，提供电源和地，并将电信号从一个晶体管传 …

2024年12月19日 · 在集成电路制造中，前道工艺（FEOL, Front End of Line） 和 后道工艺（BEOL, Back End of Line）是两个密切相关、但工艺内容和目标完全不同的阶段。 要理解它们的区别，可以将整个半导体制造过程比喻为建造一座智能大厦：前道工艺相当于“建设基础与结构框架”，而后道工艺则是“完成内部连线与功能集成”。 一、前道工艺（FEOL）的定义与内容 1. FEOL是什么？ 前道工艺是集成电路制造的第一个主要阶段，主要目标是 在半导体晶圆上完成各类器 …

2024年6月17日 · 半导体制程中芯片后道工艺（英文：Back-end of Line，简称：BEOL），是半导体制造过程中，从晶圆测试（CP测试）到形成最终电路功能并做完最终检查的关键工艺阶段。

后道工序 [1] 或后端工艺（英語： back end of line ，BEOL，台湾作後段製程 [2] ）是IC制造的第二部分，其中各个器件（晶体管、电容器、电阻器等）与晶圆上的布线（金属化层）互连。

Prisons in North Korea (often referred to by Western media and critics as "North Korean gulags ") have conditions that are unsanitary, life-threatening and are comparable to historical concentration camps. A significant number of inmates have died each year, [1][2][3][4] since they are subject to torture and inhumane treatment. [5] .

2024年6月20日 · The backend-of-the-line (BEOL) is second major stage of the semiconductor manufacturing process where the interconnects are formed within a device. Interconnects, the tiny wiring schemes in devices, are becoming more compact at each node, causing a resistance-capacitance (RC) delay in chips.

答：到了更先进的工艺节点（65nm->40nm->28nm->14nm...），后道工艺 (BEOL) 的 Metal 需要做 Low-K，以降低 RC Delay 延时，减少由于后端寄生问题，对整个芯片工作频率所产生的影 …

2019年9月8日 · 金属互连 ，芯片后段（BEOL）中的微小布线，用于分配时钟和其他信号，为各种电子系统组件提供电源和接地，并连接芯片前段（FEOL）的晶体管。互连线由不同的金属层组成：本地（local Mx），中间层（intermediate），半全局（semi-global）和全局（global）线。

2020年9月1日 · In this study, the impact of the BEOL architecture in terms of via density and metal density on the failure location and the amount of observed BEOL failures is demonstrated by performing a large statistical amount of shear microprobing combined with post-mortem focused ion beam (FIB) cross sections.