关于FEOL、BEOL和MOL的创新方案及通往1nm技术节点的可能途 …
前沿逻辑芯片的制造可以细分为三个独立的部分：前道工序（FEOL）、中间工序（MOL）和后道工序（BEOL）。 FEOL涵盖了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶体管。 晶体管作为 …
Back end of line - Wikipedia
Back end of the line or back end of line (BEOL) is a process in semiconductor device fabrication that consists of depositing metal interconnect layers onto a wafer already patterned with …
晶圆前道工艺（FEOL）和后道工艺（BEOL）的区别 - 网易
2024年12月19日 · 在集成电路制造中，前道工艺（FEOL, Front End of Line） 和 后道工艺（BEOL, Back End of Line）是两个密切相关、但工艺内容和目标完全不同的阶段。 要理解它 …
12英寸晶圆 55nm 工艺后段介绍.ppt 58页 - 原创力文档
2018年3月4日 · * Confidential Confidential Confidential Huali 55nm LP BEOL flow introduction * Outline * Overview Back-end-of-line (BEOL) process form the metal wires interconnecting with …
55/65nm 半导体制造工艺 后段（2） - 知乎专栏
首先回顾一下上次文章中提到的Metal one，即图中的Metal1，负责将下层的器件与上层的金属互连进行连接 本次将为大家介绍Metal one上Intermediate层的制造工艺流程 主要的工艺步骤分为 …
Backend-of-the-line (BEOL) - Semiconductor Engineering
2024年6月20日 · The backend-of-the-line (BEOL) is second major stage of the semiconductor manufacturing process where the interconnects are formed within a device. Interconnects, the …
一文读懂-集成电路前道工序（ FEOL）和后道工序（ BEOL） - 今 …
2020年4月30日 · 后道(back end of line，BEOL)工艺 后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。 目前大多选用 Cu 作为导电金属，因此后道又被称为 Cu 互 …
Interconnect Processing: Integration, Dielectrics, Metals
2022年11月11日 · This chapter covers integration, performance, and three main process sectors concerning back-end-of-line (BEOL) wiring (“interconnect”) process technology: intralevel …
55/65nm 半导体制造工艺 前段（1） - 知乎专栏
半导体的工艺流程一般分为三段，即 feol:前段,主要包含浅槽隔离模组，阱形成模组，器件模组 meol:中段,一般指接触孔模组 beol:后段,主要包含金属互连线模组 前段时间为大家介绍 …
晶体管制造过程中BEOL是什么意思 - CSDN文库
2024年8月16日 · 后端工艺，也称为 Backend-of-Line (BEOL) 工艺，是集成电路制造中的关键步骤，主要用于实现芯片上的互连和绝缘层，确保电路的电气隔离和高速运作。 这一过程在现代 …