前沿逻辑芯片的制造可以细分为三个独立的部分：前道工序（FEOL）、中间工序（MOL）和后道工序（BEOL）。 FEOL涵盖了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶体管。 晶体管作为 …

英特尔的前两个本地互连层分别称为金属0（M0）和金属1（M1），其中钴是导电金属，而不是铜。 其余层使用传统的铜金属。

Imec所推测的超级导孔有效发挥作用的排线结构如下：连接第一层金属排线（M1）和第三层金属排线（M3）。 理论上的标准单元如下：垂直方向（纵向）上为平行的直线状的M1和M3，水 …

2021年3月12日 · Interconnects higher up in the stack are called global interconnects, used to make long range connections and connect to power sources. The layers of interconnects are …

描述一種用於製造後段製程（BEOL）側壁金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器的方法。 該方法包括以下步驟：蝕刻在基板上的複數個BEOL層中的BEOL層，以形成具有錐形側壁和基底的溝槽 …

In this article the optimized trench profile and ILD loss uniformity for 28nm M1 etch was obtained by balancing various dry etch process parameters.

2024年12月19日 · 在集成电路制造中，前道工艺（FEOL, Front End of Line） 和 后道工艺（BEOL, Back End of Line）是两个密切相关、但工艺内容和目标完全不同的阶段。 要理解它 …

2017年6月15日 · The companies also devised a novel metallization layer called “M0” in the MOL scheme. “An M0 interconnect has been introduced to give more freedom regarding the MOL …

2017年2月21日 · 在集成电路工艺中，制造器件部分的工艺叫做FEOL也就是前端，CT和M1作为MEOL也就是中段，之后的连线部分叫做BEOL也就是后段。 如题，对集成电路工艺首次接 …

2016年12月12日 · The BEOL has m0/m1 with tight distribution of metal resistance. There is a 12-level metal stack, m0-m4 are 1X, m5-m9 are 1.9X, and m10+ are thick metal. There are two …