Bumping/μBumping，（微）凸块制造技术是倒装等发展演化的基础工程，并延伸演化出 TSV 、 WLP 、 2.5D/3D 、 MEMS 等封装结构与工艺，广泛应用于5G、人工智能、云计算、可穿戴电子、物联网、大数据处理及储存等集成电路应用中。 作为一种先进的晶片级工艺技术，Bumping在将晶片切割成单个芯片之前，在整个晶片形式的晶片上形成由焊料制成的“凸点”或“球”。 凸块制作的材质可分为金凸块、铜镍金凸块、铜柱凸块、焊球凸块。 凸块将管芯和衬底一起互连到单个 …

2024年11月18日 · 经过数次迭代，去年台积电发布了第五代CoWoS 封装 技术CoWoS-S5（CoWoS-S系列为silicon interposer硅中介，有别于CoWoS-R），interposer的尺寸达到了2500mm²（注意这并非最终 封装 后的芯片尺寸），也就是三倍于reticle limit的面积。 中间是两颗比较大的SoC，以及1颗较小的die（图片中最右侧的长条die）；CoWoS-S5的主要特性包括iCap（台积电的PDN供电网络）、新的互联堆栈、新的TSV（硅通孔）结构，以及更好 …

2023年9月25日 · Bump是一种金属凸点，从倒装焊FlipChip出现就开始普遍应用了，Bump的形状也有多种，最常见的为球状和柱状，也有块状等其他形状，下图所示为各种类型的Bump。

2023年9月26日 · Bump Mapping通过改变几何体表面各点的法线，使本来是平的东西看起来有凹凸的效果，是一种欺骗眼睛的技术.具体在封装工艺中 倒装芯片(Flip-chip IC）封装技术，不但能够满足芯片大量(High Pin-Count)与高密度(High-Density) I/O Pad的扇出（Fanout）要求，而且凸 …

2025年3月3日 · 凸块制造技术 （Bumping）是在芯片上制作凸块，通过在芯片表面制作金属凸块提供芯片电气互连的“点”接口，广泛应用于 FC、WLP、CSP、3D 等先进封装。 凸块是定向生长于芯片表面，与芯片焊盘直接相连或间接相连的具有金属导电特性的凸起物。 凸块工艺介于产业链前道集成电路制造和后道封装测试之间，是先进封装的核心技术之一。 凸块制造过程一般是基于定制的光掩模，通过真空溅镀、黄光、电镀、蚀刻等环节而成，该技术是晶圆制造环节的延伸，也是 …

Bumpprocess分为三种：BOPCOA、BOAC、HOTROD，其封装的优缺点如下表所示。 对于芯片尺寸要求没那么严格的情况，大多数产品都是采用 QFN封装 形式的芯片，因其可测性和散热较好；而对于耳机、手机等小型化产品的芯片，大多采用WSCP（waferscalechippackage）封装。 同一种功能的芯片而言可以加工成不同的封装形式，仅在Bump和Assembly层面有所区别，可以理解为QFN封装在完成Bump制程后还需要打线（WireBonding）或者引线框架（leadframe）将引 …

2020年10月27日 · Bump process 分為三種：BOPCOA、BOAC、 HOTROD，其封裝的優缺點如下表所示。 對於晶片尺寸要求沒那麼嚴格的情況，大多數產品都是採用QFN封裝形式的晶片，因其可測性和散熱較好；而對於耳機、手機等小型化產品的晶片，大多採用WSCP（ wafer scale chip package）封裝。

2021年4月22日 · Bump是一种金属凸点，从倒装焊FlipChip出现就开始普遍应用了，Bump的形状也有多种，最常见的为球状和柱状，也有块状等其他形状，下图所示为各种类型的Bump。

2023年4月7日 · Bumping工艺，又称凸点工艺，采用的是晶圆级封装，故又称 Wafer Bumping工艺 （圆片级凸点工艺）， 是 WLP （晶圆级封装工艺）过程的关键工序。 具体是指在晶圆的I/O端口的Pad上形成焊料凸点的过程。 如上图，圆片级凸点制作工艺常用的方法有多种, 每种方法都各有其优缺点, 适用于不同的工艺要求。要使wafer级封装技术得到更广泛的应用, 选择合适的凸点制作工艺极为重要。 在晶圆凸点制作中，金属沉积占到全部成本. 的50%以上。 最为常见的金属沉 …

2024年2月13日 · 凸点（Bump）如何形成？在倒装封装的前置工艺中，先通过溅射、蒸镀、化学镀等方式在晶圆上形成金属化层，将晶圆中的内层电路引出，再在金属化层上形成金属Bump。