因为BJT有三个电极，所以存在相应的三个不同的击穿电压值：BVcbo，BVceo和BVebo；这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个 反向截止电流 （Icbo，Iceo和Iebo）分别急剧增大时的电压。

Nov 2, 2011 · 三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcbo>BVceo>BVebo。 首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo<20V，是最低的。

简答题 晶体管中BV EBO，BV CBO，BV CEO 的含义是什么？ 大小关系如何？ 怎样提高晶体管的击穿电压？ 画出VBE＞0，VBC＜0，偏置条件下各区少子分布图及内部各电流分量流向图。 …

Mar 13, 2018 · 所以，这里有一个培增效应，而最后使c-e极之间击穿电压V (BR)CEO要比V (BR)CBO小. 即V (BR)CEO<V (BR)CBO。 (3) V (BR)CER和V (BR)CES--b-e极之间接电阻 (R) 和短路 (S) 时的V (BR)CE。 在b-e极之间接电阻R后，发射结被分流。 当集电结反向电流ICBO流过b极时，由于分流而使流过发射结的电流减少。 所以，在上面 (2) 中所说的倍增效应减小，为了进入击穿状态，必须加大VCE。 也就是说，V (BR)CER> V (BR)CEO。 电阻R愈小，它对发射 …

Aug 29, 2024 · 反向击穿电压是指在反向电压作用下，半导体材料中的电子空穴对被拉出，形成电流，从而导致器件损坏的电压。 对于三极管而言，由于其内部存在两个p-n结（发射结和集电结)，因此它有三个反向击穿电压：BVCEO（集电极-发射极反向击穿电压）、BVCBO（集电极-基极反向击穿电压）和BVEBO（发射极-基极反向击穿电压）。 在三极管的三个反向击穿电压中，BVCEO是最大的，因为它决定了三极管的耐压值。 一般来说，BVCEO在20V以上，甚至可 …

Jan 6, 2012 · BVCBO：发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。 ICM：集电极电流。 BVEB：集电极开路,发射结反向击穿电压。 PCM：集电极最大耗散功率。

（1）基本概念：因為BJT有三個電極，所以存在相應的三個不同的擊穿電壓值：BVcbo，BVceo和BVebo；這三個擊穿電壓實際上也就是對應於BJT的三個反向截止電流（Icbo，Iceo和Iebo）分別急劇增大時的電壓。

Aug 29, 2024 · BJT击穿电压主要探讨的是发射结、集电结以及共发射极组态的击穿电压（BVebo、BVcbo、BVceo）以及影响这些击穿电压的关键因素。 首先，BVebo指的是集电极开路状态时，发射极与基极之间能承受的最高反向电压，实际上是发射结的击穿电压。

Aug 21, 2024 · 击穿电压有三种类型：BVEBO（基极-发射极击穿电压）、BVCBO（基极-集电极击穿电压）和BVCEO（发射极-集电极击穿电压）。 这些值定义了晶体管在不同工作状态下的电压限制，确保其在正常工作范围内不会损坏。 " 晶体管是微电子领域中不可或缺的基础元件，尤其是双极型晶体管，它由两个紧密相邻的P-N结组成，分为发射区、基区和集电区，对应着发射极、基极和集电极。 根据P型和N型材料的组合，晶体管主要分为PNP和NPN两种类型。 晶体管的工 …

2.基极结击穿电压（BVcbo）：基极结也是NPN晶体管的一个重要结构，其击穿电压表示在基极和集电极之间的最大电压。 同样地，常见的BVcbo值可以从几十伏到几百伏不等。