迈向 3D 内存：三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开 …
2024年5月21日 · 目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上： 一种是 4F 2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical …
DRAM前沿技术——IGZO DRAM文献笔记 - 知乎 - 知乎专栏
2024年12月8日 · 在2020年的IEDM上，A. Belmonte et al发表了一篇题为《Capacitor-less, Long-Retention (>400s) DRAM Cell Paving the Way towards Low-Power and High-Density …
Disrupting the DRAM roadmap with capacitor-less IGZO-DRAM
2025年3月24日 · A new DRAM bit cell without a capacitor and with two thin-film transistors — each with an oxide semiconductor channel such as indium-gallium-zinc-oxide — shows …
Vertical Channel Transistor (VCT) as Access Transistor for Future …
In this work, a novel 4F VCT (vertical channel transistor) targeting for next generation of DRAM is proposed. We approached process feasibility and device performance of 4F2 VCT by TCAD …
清华团队发布3D DRAM存算一体架构！-全球半导体观察
2024年8月12日 · 近日，清华大学集成电路学院在2024 ACM/IEEE第51届年度计算机体系结构国际研讨会 (ISCA)上发表了国际首款面向视觉AI大模型的三维DRAM存算一体架构，可大幅突破存 …
华为中科院联合开发基于IGZO的3D DRAM CAA晶体管，有望克服传统1T1C-DRAM …
2022年6月2日 · 华为与中科院微电子研究所合作开发的采用垂直环形沟道器件结构（CAA，Channel-All-Around）晶体管（IGZO-FET）3D DRAM技术，也是基于IGZO的2T0C …
一文读懂RAM、ROM、SRAM、DRAM、SDRAM等内存概念
2019年8月15日 · Synchronous Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器，是一种DRAM存储器，但是与DRAM的最大区别在于“同步（synchronous）”，SDRAM通过与系统的 …
迈向 3D 内存：三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发
2024年5月21日 · 目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上： 一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical …
迈向 3D 内存：三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开 …
2024年5月21日 · 目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上： 一种是 4F2VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical …
三星发布3D DRAM路线图，VCT DRAM将成关键！ - 雪球
2024年5月25日 · 为此，三星致力于开发4F Square VCT DRAM，这是一种基于垂直通道晶体管（VCT）技术的紧凑型DRAM设计。 4F Square VCT DRAM通过垂直堆叠技术，将DRAM单 …
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