非接触电计量：削减成本和缩短时间--技术文章频道-《化合物半导 …
非接触电晕CnCV技术可以用来表征SiC和GaN外延层，提供C-V和 1/C2-V特性图（以左边的n型GaN为例）； CnCV技术还可以测量多层 外延样品上的掺杂分布（以右边的4层SiC外延片为 …
【寒武纪（5）】基于MLU的2D图像算法加速CNCV；基于MLU …
2023年11月21日 · CNCV 底层依赖软件栈CNRT运行时库和CNDrv驱动接口库。 基本概念 1、句柄 2、MLU工作空间 3、CPU和MLU aux辅助空间 4、BufferList 这个为专业名词，具体查阅 …
Abstract We report a new generation of corona noncontact C-V metrology, CnCV, that takes advantage of two unique photo-assisted techniques. The first technique provides a direct …
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本实验介绍基于 MLU 的视觉领域的pipeline的实现，即使用 CNStream 案例的运行方式。 MLU370-S4加速卡采用思元370芯片，TSMC 7nm制程，寒武纪新一代人工智能芯片架 …
【CN-SDK01】寒武纪 CNCV 使用介绍 - 寒武纪论坛 - 开发者论坛
2023年7月24日 · CNCV位于Cambricon Sdk层，属于一个视觉SDK库。 它重要的算法功能特点是： 编程风格上，它提供的是C风格接口，应用层可以较灵活地集成使用；并保证寒武纪的端云 …
寒武纪 CNCV 使用介绍 – 寒武纪开发者社区 - Cambricon
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SiC外延工艺的掺杂以及监测 - 联盟动态 中关村天合宽禁带半导体 …
2022年4月7日 · 但是为了避免该清洗工艺，并考虑到汞使用的安全问题，SEMILAB公司又开发出了一种电荷式非接触式CV测量设备CnCV-230。 它的测试原理图见图8 (a)，测试探头主要有 …
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关于安装、搭建寒武纪开发环境的文档
用于SiC晶圆表征的非接触式CnCV与QUAD技术及其改进
CnCV技术依赖于电晕放电产生的表面电压和开尔文探针的测量，实现非接触式C-V测量。 该技术使用了两种电晕放电方法：整个晶圆和点源，以及不同直径的开尔文探针（如2mm和10µm）。
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