CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一种2.5D的整合生产技术，先将芯片通过Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板（Substrate）连接，整合成CoWoS。 CoWoS process Flow如下：

2025年1月21日 · CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）是一种先进的半导体封装技术，它通过在硅中介板上堆叠和连接多个芯片，实现了小型化、低功耗和高密度IO的封装。CoWoS技术包括三个层次：芯片、硅中介板和基板，其中硅中介板的...

The CoWoS ® -S (Chip on Wafer on Substrate with silicon interposer) platform provides best-in-class package technology for ultra-high performance computing applications, such as artificial intelligence (AI) and super-computing.

2024年5月15日 · Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) is a two-point-five dimensional integrated circuit (2.5D IC) through-silicon via (TSV) interposer-based packaging technology designed by TSMC for high-performance applications.

2024年7月11日 · CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）封装技术具有多项显著优势，这些优势使其在高性能计算和先进半导体制造领域中极为重要： 高密度集成：CoWoS技术允许在单一封装中集成多个芯片，包括处理器、内存和其他功能模块，实现高密度的系统集成。 这种集成方式可以显著减少芯片间的物理距离，提高整体系统的性能。 缩短互连长度：通过使用硅通孔（TSV）技术，CoWoS能够实现芯片间的垂直互连，从而大幅缩短信号传输路径，减少信号延迟和功耗。 …

2023年8月9日 · 「CoW（Chip-on-Wafer）」是晶片堆疊；「WoS（Wafer-on-Substrate）」則是將晶片堆疊在基板上。CoWoS 就是把晶片堆疊起來，再封裝於基板上，最終形成 2.5D、3D 的型態，可以減少晶片的空間，同時還減少功耗和成本。

2023年8月2日 · CoWoS 是最流行的 GPU 和 AI 加速器封装技术，因为它是共同封装 HBM 和逻辑以获得训练和推理工作负载最佳性能的主要方法。 接下来，我们将详细介绍 CoWoS-S（主要变体）的关键制造步骤。 硅中介层关键工艺步骤. 第一部分是制造硅中介层，其中包含连接芯片的“电线”。 这种硅中介层的制造类似于传统的前端晶圆制造。 人们经常声称硅中介层是采用 65 纳米工艺技术制造的，但这并不准确。 CoWoS 中介层中没有晶体管，只有金属层，可以说它与金属层 …

2025年1月14日 · CoWoS是一种先进的封装技术，能够将多个芯片堆叠在一起，然后封装在一个基板上，形成一个紧凑且高效的单元。 严格来说属于 2.5D 先进封装技术，由 CoW 和 oS 组合而来： 先将芯片通过 Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把 CoW 芯片与基板（Substrate）连接，整合成 CoWoS。 核心是将不同的芯片堆叠在同一片硅中介层实现多颗芯片互联。 台积电 将CoWoS封装技术分为三种类型——CoWoS-S、CoWoS-R、 CoWoS-L。 其主 …

2025年1月14日 · CoWoS-L结合了CoWoS-S和InFO技术的优点，使用中介层与LSI芯片进行芯片间互连，并使用RDL层进行功率和信号传输，从而提供最灵活的集成。 在电气性能方面，CoWoS平台引入第一代深沟槽电容器(eDTC)是用于提升电气性能，通过连接所有LSI芯片的电容，CoWoS-L搭载多个LSI ...

在上文中我们谈到，高性能封装技术“CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）”从首次开发起约10年的时间内推出了多款衍生产品。 接下来，让我们还回顾一下“CoWoS”技术自 2011 年首次开发以来的发展历程。 最初的“CoWoS”技术使用硅（Si）衬底作为中间衬底（中介层）。 目前，台积电称这种类型为“CoWoS_S（Silicon Interposer）”。 正如第一部分所解释的，从2011年的第一代到2019年的第四代，CoWoS技术不断扩大中介层面积、晶体管数量和内存容量。 …