CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）是一种2.5D的整合生产技术，先将芯片通过Chip on Wafer（CoW）的封装制程连接至硅晶圆，再把CoW芯片与基板（Substrate）连接，整合成CoWoS。 CoWoS process Flow如下：

The CoWoS ® -S (Chip on Wafer on Substrate with silicon interposer) platform provides best-in-class package technology for ultra-high performance computing applications, such as artificial intelligence (AI) and super-computing.

2025年1月21日 · CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）是一种先进的半导体封装技术，它通过在硅中介板上堆叠和连接多个芯片，实现了小型化、低功耗和高密度IO的封装。CoWoS技术包括三个层次：芯片、硅中介板和基板，其中硅中介板的...

2024年5月15日 · Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) is a two-point-five dimensional integrated circuit (2.5D IC) through-silicon via (TSV) interposer-based packaging technology designed by TSMC for high-performance applications.

2024年6月3日 · CoWoS-L (Local Silicon Interconnect and RDL Interposer): 结合局部硅互连和RDL中介层，利用两者的优点以实现更高效的封装和连接。 这种结构适合复杂的系统集成，能够在单一封装中实现更复杂的电路设计。

一种是“CoWoS_S（Silicon Interposer）”，它使用硅（Si）衬底作为中介层。 这种类型是2011年开发的第一个“CoWoS”技术，在过去，“CoWoS”是指以 硅基板 作为中介层的先进封装技术。 另一种是“CoWoS_R（RDL Interposer）”，它使用重新布线层（RDL）作为中介层。 第三个是“CoWoS_L（Local Silicon Interconnect and RDL Interposer）”，它使用小芯片（chiplet）和RDL作为中介层。 请注意，“本地硅互连”通常被台积电缩写为“LSI”。 “CoWoS_S”（传统 …

「CoW（Chip-on-Wafer）」是晶片堆叠; 「WoS（Wafer-on-Substrate）」则是将芯片堆叠在基板上。 CoWoS 就是把芯片堆叠起来，再封装于基板上，最终形成 2.5D、3D 的形态，可以减少芯片的空间，同时还减少功耗和成本。

2025年1月14日 · CoWoS-L结合了CoWoS-S和InFO技术的优点，使用中介层与LSI芯片进行芯片间互连，并使用RDL层进行功率和信号传输，从而提供最灵活的集成。 在电气性能方面，CoWoS平台引入第一代深沟槽电容器(eDTC)是用于提升电气性能，通过连接所有LSI芯片的电容，CoWoS-L搭载多个LSI ...

2024年11月28日 · CoWoS技术允许在同一IC平台上异构集成逻辑SoC和HBM。 CoWoS架构包含2.5D水平堆叠和3D垂直堆叠配置，彻底改变了传统的芯片封装模式。这种创新方法允许逐层堆叠各种处理器和内存模块，从而创建相互连接以形成一个有凝聚力的系统的小芯片。

2025年1月10日 · CoWoS是一种先进的封装技术，能够将多个芯片堆叠在一起，然后封装在一个基板上，形成一个紧凑且高效的单元。 在芯片制造领域，前道、中道和后道指的是半导体生产过程中的三个主要阶段，具体如下： 前道（Front-End Manufacturing ）：前道工艺主要涉及晶圆制造，这是在空白的硅片上完成电路加工的过程，包括光刻、刻蚀、薄膜生长、 离子注入、清洗、CMP（化学机械抛光）和量测等工艺步骤。 这个阶段的目标是在硅片上形成晶体管和其他有 …