In this work, a novel 4F VCT (vertical channel transistor) targeting for next generation of DRAM is proposed. We approached process feasibility and device performance of 4F2 VCT by TCAD simulation. Detailed processes such as BL (bit line) and WL (word line) loop have also been discussed to achieve lx node VCT DRAM.

2023年12月15日 · 长鑫存储（ CXMT），在日前于旧金山举行的第69届IEEE国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术 。 GAA全程全环绕栅极 晶体管 (Gate-All-Around FET)。

Abstract— In this paper, we have successfully fabricated the junction-less GAA VCT combined with a hexagonal capacitor to realize a compact 4F2 DRAM architecture. It shows the breakthroughs of Ion/Ioff>109 and SS=62.5 mV/dec. We also elaborated on various key process issues and device parameters and how they impact on performance.

Intel OptaneTM P5800X SSD 产品采用第二代 XPoint 内存技术，具有四栈 PCM/OTS 单元结构。 Everspin 第 3 代独立 256 Mb STT-MRAM (pMTJ) 和 1Gb STT-MRAM，三星和索尼的新 28nm eSTT MRAM (pMTJ)，具有 40nm 节点的 Avalanche eSTT MRAM (pMTJ)，Dialog Semiconductor（旧 Adesto Technologies）第 2 代 CBRAM，而富士通 45nm ReRAM 130nm FeRAM 产品已于 2020 年和 2021 年上市 。 下面，我们来看一下 Techinsights 对存储器未来 …

PDF | On Dec 8, 2023, Abraham Yoo and others published High-Performance Gate-all-around Junctionless Vertical-Channel Transistors with the Ultra-low Sub-threshold Swing for Next-generation 4F2 ...

2025年2月12日 · 存储器DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT），在旧金山举行的第69 届IEEE 国际电子元件年会（IEDM）上发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端3纳米级芯片。

2023年12月19日 · DRAM的发展方向 对于 DRAM，主要目标是继续将 1T-1C 单元的封装尺寸扩大到 4F2 的实际极限。 挑战在于垂直晶体管结构、高 κ 电介质以提高电容密度，同时保持低泄漏。 一般来说，DRAM 的技术要求随着缩放而变得更加困难。 在过去的几年中，DRAM 引入了许多新技术（例如，193 nm 氟化氩 (ArF) 浸没式High NA 光刻技术和双图形技术、改进的单元 FET 技术，包括鳍型晶体管、掩埋字线/单元 FET 技术等等）。 由于 DRAM 存储电容器在物理上随着 …

A novel 4F2 dynamic random access memory (DRAM) cell transistor structure was proposed that can solve various process problems and special failure modes that ca

For the first time, we demonstrated experimentally 4F single-gated IGZO-VCT, monolithically stacked on top of core/peripheral transistors without wafer bonding process for sub-10nm DRAM. Sufficiently low leakage current (I OFF) of <1 fA/cell, subthreshold swing (SS) of 164 mV/dec and V T of -1.73 V at 85°C is obtained with advanced processes.

2023年12月16日 · 12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第 69 届 IEEE 国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Ar