2024年11月5日 · 对于DDR1 SDRAM应用中的地址总线控制信号和数据总线信号都有端接电阻。 需要一个没有任何的噪声或者电压变化的参考电压 (VREF)，用作DDR SDRAM输入接收器，VREF也等于1/2 VDDQ。 VREF的变化将会影响存储器的设置和保持时间。

2019年11月8日 · DDR4中的VREFDQ并非直接被删除，而是被集成在DDR4内部。 这样就可以在DDR4内部动态调整VREFDQ的范围，使得DQ信号具有更强的鲁棒性。

DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。

2024年10月14日 · 为了强调为什么 DDR4 中需要这个可变的 Vref，可以通过一个简单的 DDR3 和 DDR4 驱动器模型来理解，它们驱动一个终结电阻（Rtt）分别达到所需的高低电平电压值。

2022年7月5日 · 在 DDR4 中，数据线 [DQ] 的端接样式从 CTT（中心抽头端接，也称为 SSTL 系列螺柱端接逻辑）更改为 POD（伪开漏）。 这样做是为了提高高速信号完整性并节省 IO 功率。

A detailed tutorial on DDR4 SDRAM Initialization, Training and Calibration. Exploring topics such as Read/Write Training, ZQ Calibration, Vref Training, Read Centering, Write Centering, Write Leveling and Periodic Calibration.

VREF is a reference voltage that provides a DC bias of 0.6 V (VDD/2) for the differential receivers at the address/command/ control bus of the DDR4 devices. Noise or deviation in the VREF voltage can lead to potential timing errors, unwanted …

ssful DDR4 board design can be accomplished using the analysis techniques described in this paper. EDA software updated to support DDR4 simulation can help the designer properly use DBI, calculate the proper Vref level for analysis, apply the D

2023年3月23日 · DDR4内存的初始化涉及上电和初始化、ZQ校准、VrefDQ校准及读/写训练等步骤。 ZQ校准用于调整DQ引脚的电阻，保证信号驱动和终端电阻的精确性。

The Vref training is required for DDR4 and is enabled by default to be run. If you are running into issues I would be looking at your data eye and do some signal integrity adjustments/measurements from there.