Official website of the Defense Travel Management Office (DTMO), the single focal point for commercial travel within the Department of Defense.

The Defense Travel Management Office (DTMO) provides a comprehensive set of resources to conduct training. They include eLearning, reference materials, and instructor resources. A training search lookup tool allows you to view all training resources.

Travelers do not need to use personal funds for mission-related travel expenses, can manage their GTCC account online, and reimbursement is streamlined through DoD’s travel system. The GTCC also offers insurance coverage for rental cars, lost luggage, and personal injury, and provides cardholders with better payment terms.

DTMOS系列具有超结结构，即使漂移层具有高耐受电压，也能够降低其电阻。 从我们的第四代DTMOSⅣ系列开始，将采用单层外延工艺来实现低导通电阻和高速开关。 最新一代DTMOSⅥ系列与传统的DTMOSⅣ-H系列相比，通过降低漏源导通电阻和栅漏电荷（R DS (ON) ×Q gd）的乘积（这是品质因数），能够提高开关电源的效率。 漏源导通电阻与栅漏电荷（R DS (ON) ×Q gd）的乘积是品质因数：值越小，MOSFET的导通损耗和开关损耗越低。 在DTMOSⅥ系列 …

我们最近分析了东芝最新的“DTMOS VI”超级结 (SJ) MOSFET，即采用 开尔文 源的 TOLL 封装的 TK065U65Z。 该器件的 额定电压 为 650 V，25°C 时的电流为 38 A，东芝引述的 导通电阻 (R DSON ) 为 51 mΩ。 将其转换为我们的芯片测量中的特定导通电阻 (R DSON *A)，结果为 16.81mΩ.cm2。 东芝 DTMOS VI' 超级结 (SJ) MOSFET、 现在碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 产品都在市场上产生影响，很容易认为硅 (Si) 在电力电子产品中不再占有一席之地。 这些宽带隙 …

This paper briefly reviews the DTMOS concept, and its advantages over conventional CMOS. Next, the main limitations and disadvantages of the device are touched upon, while covering some of the suggestions for optimizing the device.

To extend the lower bound of power supply to ultra-low voltages (0.6 V and below), we propose a dynamic-threshold voltage MOSFET (DTMOS) built on silicon-on-insulator (SOI). The threshold voltage of DTMOS drops as the gate voltage is raised, resulting in a much higher current drive than standard MOSFET at low power supply voltages.

The DTMOS series has a super junction structure capable of reducing the resistance of the drift layer even though it has a high withstand voltage. From the fourth-generation DTMOSIV series onward, Toshiba has adopted a single-epi process to achieve both low on-resistance and high-speed switching.

2020年3月31日 · 东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”） 推出了8款新一代 [1] 650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”产品，它们分别是“TK110N65Z”、“TK110Z65Z”、“TK110A65Z”、“TK125V65Z”、“TK155A65Z”、“TK170V65Z”、“TK190A65Z” 和 “TK210V65Z”，其主要应用于数据中心和光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源，这些产品扩大了封装和导通电阻方面的产品线。 新一代DTMOSVI系列与上一代DTMOSIV-H系列相 …

2018年3月21日 · 东芝电子元件及存储装置株式会社推出第五代dtmos超级结mosfet器件，可以实现功率转换器的低噪声性能。 第五代DTMOS在第四代DTMOS系列的基础上增加了更多的改进功能，包括导通电阻R DS(ON) 进一步降低17%，并更大程度地优化了开关功能和电磁干扰噪声间的 …