We present a 46 nm 6F 2 buried word-line (bWL) DRAM technology, enabling the smallest cell size of 0.013 mum2 published to date. The TiN/ W buried word-line is built below the Si surface, forming a low resistive interconnect and the metal gate of the array transistors.

本篇文章将以2x-nm节点采用的BWL型DRAM为例，从FEOL-MEOL-BEOL完整地讲解DRAM的结构和主要的Process Flow。 图1展示了BWL型DRAM的存储阵列区主要的工艺步骤和相对应的mask，接下来将按照每个工艺步骤进行详细的介绍。

Results have been shown that the BWL bottom position roughness can be detected clearly and measured with BSE signal. This methodology can help to monitor the BWL roughness in different critical process steps.

Random Access是指DRAM支持随机访问，在寻址时可以访问存储阵列中的任意一个存储单元。 按照数据传输速率，可以将DRAM分为SDR和DDR。 第一代的DRAM采用的是SDR技术，即Single Data Rate，数据传输只在时钟的上升沿采样，因此在一个时钟周期内只能传输一位数据，如图1上方所示。 DRAM从第二代开始采用DDR技术，即 Double Data Rate，数据传输时会在时钟的上升沿和下降沿都进行采样，如图1下方所示。 这样在一个时钟周期内可以传输2位数据，因此可 …

DRAM 在接收到 Row Refresh 命令后，会根据内部 Refresh Counter 的值，对所有 Bank 的一个或者多个 Row 进行刷新操作。 DRAM 刷新的操作与 Active + Precharge 命令组合类似，差别在于 Refresh 命令是对 DRAM 所有 Bank 同时进行操作的。下图为 DRAM Row Refresh 命令的时序图：

2021年5月7日 · 一项简单的DRAM器件研究将用于强调栅极蚀刻行为和蚀刻步骤特性对电气性能和成品率目标的影响。 该工作流程将遵循一个典型的4步骤虚拟制造顺序： 标称工艺步骤和设备几何形状信息已输入到软件中。 这允许软件生成可以进一步校准的设备的3D预测 模型。 图1：输入型号信息后，它将显示电容器触点，如图所示。 此时，可以进行电分析，并且可以研究电容器的边缘效应。 建立相关指标以限定结构或电气性能。 这些可能包括虚拟计量，3D DRC（设计规则 …

本篇文章将以2x-nm节点采用的BWL型DRAM为例，从FEOL-MEOL-BEOL完整地讲解DRAM的结构和主要的Process Flow。 图1展示了BWL型DRAM的存储阵列区主要的工艺步骤和相对应的mask，接下来将按照每个工艺步骤进行详细的介绍。

2009年1月17日 · We present a 46 nm 6F² buried word-line (bWL) DRAM technology, enabling the smallest cell size of 0.013 mum2 published to date. The TiN/ W buried word-line is built below the Si...

2022年3月22日 · DRAM array是指DRAM芯片中的存储单元阵列，也称为存储单元阵列或存储阵列。 DRAM array通常由一个二维的存储单元网格组成，每个存储单元都可以存储一个位（0或1）。

2008年12月17日 · Abstract: We present a 46 nm 6F 2 buried word-line (bWL) DRAM technology, enabling the smallest cell size of 0.013 mum2 published to date. The TiN/ W buried word-line is built below the Si surface, forming a low resistive interconnect and the metal gate of …