已知ASML最强的DUV从1980I到2150I都为浸没式+1.35NA值，所对应的分辨率通通为38nm （由于技术发展此38nm对应的工艺制程为28NM芯片）。结果就是国产光刻机如果浸没式技术突 …

2024年10月17日 · 上海微电子的光刻机，在其官网上是有公开的，之前公开的是一台分辨率为90nm的光刻机，属于ArF，也就是第四代，采用193nnm波长的光源，干式DUV光刻机。

2024年9月19日 · 工信部公开推广两款国产DUV光刻机，最小套刻≤8nm，多只光刻机概念股走强。 2 . 氟化氩光刻机具有65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度，与 ...

干式DUV采用的是空气作为光线传播的介质，浸润式DUV采用的是水来做光线传播的介质，而光线在水中产生折射，193nm波长的光源，折射后等效成13nm了，波长更短，于是分辨率更高了。

2024年9月16日 · 氟化氪光刻机其实就是老式的248nm光源的KrF光刻机，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机（也被成为DUV光刻机 ...

6 天之前 · 近日，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent Light），与当前被广泛采用的DUV曝光 ...

2024年7月29日 · DUV（Deep Ultraviolet），深紫外光刻，是介于Vacuum UV（157nm，F2）与UV（365nm，i line）之间的光线，一般是指KrF(248nm),ArF(193nm)两种波长。 而浸没式光刻 …

2 Industrial Focus Group XUV Optics, University of Twente, Drienerlolaan 5, 7522 NB Enschede, The Netherlands ABSTRACT With the introduction of the NXE:3400B scanner, ASML has …

台积电的初代的7nm工艺，就完全由DUV光刻机实现。 相对于台积电的上一代主要工艺节点16nm，7nm可以提供3.3倍的电路密度。 相同功耗，可以提供35·40%的性能提升。

2024年1月11日 · 中国大陆自主研发的浸润式duv光刻机，是国内半导体行业的一项重大突破，也是国家自主创新的一个典范。 它不仅打破了国外的技术封锁，提高了国内的芯片制造能力，而 …