Electron Device Letters - IEEE Electron Devices Society
Electron Device Letters (EDL) publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and ...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS - SCI期刊点评 - 小木虫论坛-学术 …
2023年8月21日 · 第一篇EDL审稿速度很快，尽管共有四个reviewer。 第一次大改，第二次小改，都是10天左右出结果。 目前已投第二篇EDL，可能是因为暑假原因，已经过去一周多，仍是under review，希望早点出结果。
影响因子4＋收稿范围较广，对国人友好！ - 知乎专栏
期刊出版了与电子和离子集成电路设备和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性有关的原始和重要贡献，涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新 …
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS_影响因子(IF)_中科院分区_SCI期 …
2 天之前 · IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emergi...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS投稿指南 - 佩普学术
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS是由IEEE出版的学术期刊，致力于发表关于电子器件领域的原创研究。 该期刊涵盖了半导体器件、光电子器件、微电子器件、纳米器件等方面的内容，旨在推动电子器件领域的研究和创新。 1.期刊基本信息. 研究方向：电子器件. 出版周期：Monthly. 出版年份：1980. 出版国家：USA. 期刊ISSN：0741-3106. 是否OA开放：否. 2.分区. JCR分区：JCR分区等级为2区。 根据2023年12月最新升级版的中科院SCI分区，分区大类工程技术二区，小类工 …
28岁成为北京大学微纳电子学系博导，如何评价黄芊芊老师的学术 …
国际上首次在单独铁电电容中直接观测到负微分电容现象，针对低功耗负电容晶体管中最具争议的稳态负电容机制问题，提出并验证了符合物理本质的动态极化翻转负电容理论；国际上首次利用铁电材料极化翻转模拟生物神经元动态行为提出并实验实现了基于新型超低功耗仿生铁电晶体管的脉冲神经元，极大降低了脉冲神经元的硬件开销和能耗，为大规模、高集成的超低功耗神经形态计算芯片奠定了器件基础。 从这段介绍中，可以看出黄老师主要是做铁电电容和铁电晶体管，神 …
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS怎么样 - 佩普学术
该期刊旨在促进电子器件领域的交流和合作，推动科学和技术的发展。 1. 期刊简介. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS每年出版24期，是一个半月刊，由IEEE（Institute of Electrical and Electronics Engineers）出版。 该期刊创刊于1980年，主要涵盖电子器件和材料领域的研究成果。 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的国际标准连续出版物编号（Issn号）是0741-3106。 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS目前的主编是Sayeef Salahuddin。 2. 影响因子.
IEEE Electron Device Letters - 科研通
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emergi...
Ieee Electron Device Letters-IEEE ELECTR DEVICE L-学术之家
《Ieee Electron Device Letters》是一本专注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的English学术期刊，创刊于1980年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，出版周期Monthly。该刊发文范围涵盖ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等领域，旨在及时、准确、全面地报道国内外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在该领域的科学研究等工作中取得的经验、科研成果、技术革新、学术动态等。
IEEE Electron Device Letters Publication Information
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