Providing high resolution in high-volume manufacturing, ASML’s extreme ultraviolet (EUV) lithography systems are pushing Moore’s Law forward. Discover our NXE systems that use EUV light to deliver high-resolution lithography and make mass production of the world’s most advanced microchips possible.

2024年1月25日 · What is High NA EUV lithography? High NA EUV is the next step in our constant pursuit of shrink. Like NXE systems, it uses EUV light to print tiny features on silicon wafers. And by turning the NA knob, we deliver even better resolution: The new platform, known as EXE, offers chipmakers a CD of 8 nm.

The dual-stage extreme ultraviolet (EUV) lithography system is the first in a new generation of machines that will provide 8 nm resolution to support advanced Logic and Memory chip production. The TWINSCAN EXE:5000 is the first 0.55 NA, or ‘High NA’, EUV lithography system.

2023年7月21日 · 目前最先进的ASML光刻机用的激光器是EUV（极紫外）激光器。 ASML的光刻机是长这样的。 为了延续摩尔定律（参考： 摩尔定律的继续将对物理学和经济产生巨大压力），硅片上集成的晶体管尺寸需要越来越小，这是通过光掩膜版在光刻胶上成像实现的。 但光学成像，是无法无限清晰下去的。 光学成像小于一定大小，就必须考虑衍射效应，即对尺寸接近光波波长的成像细节，就开始模糊了。 因此，随着集成电路上的晶体管尺寸越来越小，我们用到的 …

ASML采用 激光轰击液态锡靶 产生等离子体的方式生成EUV光，但这一过程效率极低，仅有约0.02%的激光能量转化为可用的EUV光。 因此，光源功率需达到250瓦以上才能满足量产需求，这对激光器的功率（需20kW以上）和稳定性提出了极高要求。 光源的微小波动会导致曝光剂量不均，直接影响芯片良率。 2. 光学系统的精度和误差控制. EUV光无法通过透镜折射，必须使用 多层镀膜反射镜 （由硅和钼交替沉积的40层结构组成）。 反射镜表面粗糙度需控制在0.1纳米以内（ …

2024年3月14日 · 半導体デバイス微細化のカギとなるのが、波長13.5nmの極端紫外線（EUV）を使うEUV露光装置だ。 フォトリソグラフィー工程において、フォトマスクのパターンをウエハー上に照射する露光を担う。

2021年2月15日 · ASML 上周财报中指出该公司于2020 年底庆祝第100 台EUV 极紫外光光刻系统出货。 中国台湾目前更是全球EUV最大的装机基地。 EUV 光刻技术历经20 余年的实验室研发，以及12 年的量产研发，至今成为半导体先进制程中最重要的生产工具。 ASML 全球副总裁暨技术开发中心主任严涛南，正是推动EUV 应用在量产阶段的灵魂人物。 接下来我们看一下由严涛南先生撰写的文章：ASML 极紫外光（EUV）光刻技术的量产历程. ASML 全球副总裁暨技术开发中 …

2022年12月19日 · euv 光刻机路线图显示， 2023 年将推出 0.55 na 的 exe:5000 样机，套刻精度为 1.1nm ，可用于 1 纳米生产。 按照业界当前的情况推测，真正量产机型 EXE:5200B 出货可能要等到 2024 年。

2020年9月25日 · • EUV is generated within the plasma where temperature is sufficient to produce Sn ions of interest and the density is as high as possible. High power laser interacts with liquid tin producing a plasma. Plasma is heated to high temperatures creating EUV radiation. Radiation is collected and used to pattern wafers.

2022年12月2日 · しかし、ArF光源の波長193nmを大きく下回る「13.5nm」の「EUV光源」を使った「EUV露光」をASMLが確立したことで、5nm世代（TSMCの呼称でN5などと呼ばれる）などさらに微細なパターン形成が可能になりました。