2021年4月16日 · Early last year, Samsung Electronics announced the world’s first development of both ArF-i based D1z DRAM and separately its EUV lithography (EUVL) applied D1z DRAM. TechInsights is excited that we have finally found Samsung’s new and advanced D1z DRAM devices and confirmed details of this technology.

昨日，韩国存储厂商 SK海力士 宣布，公司第一代使用 EUV光刻机 生产的DRAM正式量产。 据介绍，公司旗下第四代 10 纳米級（1a）制程8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。 作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM，与上一代产品相比，新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加 25%，并能将功耗降低20%。 在更早之前，三星已经率先量产了使用EUV光刻机生产的DRAM，在过去多年稍显保守的 美光 也宣布，将在2024年生产基 …

2021年2月22日 · Early last year, Samsung Electronics announced the world’s first development of both ArF-i based D1z DRAM and separately its EUV lithography (EUVL) applied D1z DRAM. TechInsights is excited that we have finally found Samsung’s and advanced D1z DRAM devices and confirmed details of this technology.

2021年2月18日 · After months of waiting, we have seen Samsung Electronics’ applied extreme ultraviolet (EUV) lithography technology for D1z DRAM in mass production! Early last year, Samsung Electronics announced the world’s first development of both ArF-i based D1z DRAM and separately its EUV lithography (EUVL) applied D1z DRAM.

2023年7月18日 · 随着DRAM继续微缩至接近10nm，极紫外光刻 (EUVL)技术对提高图案精度变得越来越重要。 三星通过应用五个EUVL层，将EUVL技术扩展到D1a DRAM工艺集成。

对于D1Z 12 GB LPDDR5设备的DRAM流程集成，三星采用EUV光刻技术仅限于一个掩码，存储节点登陆垫（呼叫阵列上的SNLP）/位线焊盘（S / A上的BLP），其尺寸约为40 nmS / A（读出放大器电路）区域上的尺寸（CD或间距）和13.5 nm BLP线宽。

2021年7月13日 · 昨日，韩国存储厂商SK海力士宣布，公司第一代使用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。 据介绍，公司旗下第四代 10 纳米級（1a）制程8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。 作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM，与上一代产品相比，新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加 25%，并能将功耗降低20%。 在更早之前，三星已经率先量产了使用EUV光刻机生产的DRAM，在过去多年稍显保守的美光也宣布，将 …

2021年2月17日 · The Extreme Ultraviolet (EUV) lithography process used in Samsung’s D1z 12 Gb LPDDR5 DRAM generation has demonstrated 15% higher fabrication productivity compared to the previous D1y 12 Gb version. D/R (Design Rule) …

今年早些时候，三星宣布已交付了 100 万个基于 EUV 技术的 10 纳米级 (D1x) DDR4（第四代双倍数据速率）DRAM。 这些模块已完成全球客户评估，这一成就为 EUV 更卓越的应用打开了大门，为高级个人计算机、手机、企业服务器和数据中心等许多应用创建解决方案。

EUV ecosystem improvements for LCDU/LWR at low dose still needed to enable cost/performance tradeoff in DRAM manufacturing.