2021年10月25日 · The ESOI of an 800V Silicon Carbide implementation in an EV sedan is 13:1 (800V Silicon Carbide MOSFET vs. 400V silicon IGBT) – an 85% increase vs. the 400V Silicon Carbide MOSFET, due to reduced chip surface area and corresponding energy invested.

2021年11月5日 · 这项研究使用了bpei专有的能源投资节能（esoi）指标，该指标定义为产品生命周期内节约的能量与生产该产品所需的增量能量之比。 ESOI通过量化“能源投资的生命周期能量回报”，对替代节能技术逐一进行比较。

2021年10月26日 · The ESOI analysis quantified thousands of environmental and energy flows across entire lifecycles of silicon and silicon carbide chip-powered vehicles, involving dozens of energy production vs. consumption model iterations, and supporting statistical analysis.

2021年10月26日 · The ESOI of an 800V SiC implementation in an EV sedan is 13:1 (800V SiC MOSFET versus 400V silicon IGBT) – an 85% increase versus the 400V SiC MOSFET, due to reduced chip surface area and corresponding energy invested. The ESOI gain is greater for fleet vehicles, such as taxis and delivery vans, with higher duty cycles.

研究人员利用esoi分析 展示sic在电动汽车中的能效优势这项研究估计，对于预计使用寿命超过 20万英里的个人电动汽车，将硅igbt替换为碳化硅mosfet所 ...

2021年10月25日 · The ESOI of an 800V Silicon Carbide implementation in an EV sedan is 13:1 (800V Silicon Carbide MOSFET vs. 400V silicon IGBT) – an 85% increase vs. the 400V Silicon Carbide MOSFET, due to reduced chip surface area and corresponding energy invested.

2021年10月25日 · “Silicon Carbide (SiC) microchips present an important test case of energy efficiency. Combining two crystal structures into a single compound produces unique properties...

中国储能网讯： 为了量化储能系统这一长期过程中的能量成本，斯坦福大学的科学家提出了一个叫做ESOI的数学公式，或者可以成为能源存储的投资。 ESOI = 通过该技术存储的能量/开发该技术所需要的能量。 ESOI的值越高，该技术的存储能力就越好。 该研究还将抽水蓄能、铅酸电池、锂离子电池、钠硫电池、全钒液流电池以及锌溴电池等技术进行了比较，例如抽水蓄能：210，锂离子电池：10，铅酸电池：2。 研究最后得出了一个结论：提高储能系统的循环寿命是降低这一过 …

2020年3月23日 · eSiGe 面向的对象是 PMOS 管中的沟道，而 SiC 则面向 NMOS 管中的沟道，与 eSiGe 能为PMOS管沟道的纵向方向施加应变力的道理相反，由于C原子的体积比 Si原子小，因此 SiC 化合物的晶格常数比Si小，这样当把 SiC 层嵌入 NMOS 管的漏源极之后，便可对沟道纵向方向施加拉伸应变力。

In a recent study the ESOI parameter quantifying the energy cost of a storage system is determined [1]. From the comparison of ESOI of different storage technologies, it is clear that …