2015年2月26日 · Vgs(th) is the voltage at which the mosfet channel begins to conduct. At this voltage, a positive voltage, it creates an electric field, which attract electrons (since our applied voltage is positive, so positive charges on gate).

2023年12月25日 · vgsth（栅极到源极阈值电压）：是mosfet开始导通所需的最小栅极电压。当vgs达到vgsth时，mosfet从截止状态转变为导通状态。vgsth是mosfet的一个特性参数，通常在器件的数据手册中给出，且会受到结温、漏极电压和漏极电流的影响。

所以，一般我们都用12V 15V作为Vgs的驱动电压，一般情况下，Vgs不要超过±20V，否则管子会损坏。 那么，一般为了降低导通损耗，就需要提高Vgs，这是因为P=I^2*Rdson。

2022年9月25日 · 本文深入剖析65N041 MOS管的工作特性，通过转移特性曲线和输出特性曲线分析其导通、截止、饱和及击穿状态。 讨论了VGS和VDS对ID的影响，解释了MOS管在开关应用中的工作原理，特别是在饱和区的电流控制作用。 同时，介绍了MOS管的开启电压、反型层的形成以及沟道夹断现象。 以某65N041器件为例，通过分析其曲线，来分析 MOS管 的工作特性。 一、转移特性曲线 (VGS-ID曲线) 说明的是栅极电压VGS对ID的控制作用。 从上图曲线可得到： 1 …

2024年9月29日 · 了解MOSFET中Vgs（栅极-源极电压）与Vds（漏极-源极电压）的相互作用是设计高效电路的关键。 本文详细剖析了Vgs与Vds在不同工作区间的作用机制,并提供了实际电路设计中的优化建议和典型应用案例。

MOS管导通条件是Vgs电压至少达到阈值电压Vgs (th)，其通过栅极电荷对Cgs电容充电实现，当MOS管完全导通后就不需要提供电流了，即压控的意思。 这三个寄生电容参数值在MOS管的规格书中一般是以Ciss，Coss和Crss形式给出，其对应关系为： Cgd=Crss；Cds=Coss-Crss；Cgs=Ciss-Crss。 在MOS管的规格书上一般还有如图5所示的栅极充电曲线，其可以很好地解释为何Vgs电压会有米勒平台。 Vgs一开始随着栅极电荷的增加而增加，但是当Vgs增加到 …

对于mosfet管的选型与应用，vgs（栅源电压）和vds（漏源电压）是两个关键参数，它们在不同应用场景下各有其重要性，本文将详细解析这两个参数，并探讨它们在mosfet管选型中的重要性。

2005年10月6日 · • How does a MOSFET work? • How does one construct a simple first-order model for the current-voltage characteristics of a MOSFET?

2024年11月12日 · 在MOSFET中，dv/dt指的是 MOSFET在 开关瞬态期间，其漏源电压Vds的变化率，即漏极和源极之间电压随时间的变化速度。 一般想到 dv/dt，我们第一反应是高dv/dt会导致强烈的电磁干扰，影响周围的敏感电路，降低系统的信号完整性。 除此之外高dv/dt还会产生另外一大危害，那就是如果dv/dt过高，漏源电压的快速变化会通过栅-漏电容Cgd耦合到栅极电压Vgs，导致栅极电压瞬时上升，从而使MOSFET在关闭的情况下误导通。 接下来我们就介绍一下原因以 …

2024年12月24日 · vgs是mosfet栅极与源极之间的电压差，它直接影响mosfet的导通状态。在mosfet选型时，vgs的考虑主要包括： 阈值电压（vth）：这是mosfet开始导通的最小vgs值。选择时，应确保工作电压高于阈值电压，以保证mosfet在预期的工作条件下能够正常导通。