The FZ-14 Float-Zone crystal-growing system is designed for the industrial production of monocrystalline Silicon crystals with a diameter of up to 100 mm (4"). Depending on the dimensions of the source rod, crystals with a length of up to 1.1 m can be pulled.

2015年12月4日 · FZ-14-1型区熔炉能够稳定地生长最大直径为 ( D 104.5mm1 l mm无位错、无漩涡单晶。且成晶率不低于80%, 3、单晶生长工艺 3, 1 ( D 60mm- N 105mm区熔本征单晶生长 3, 1, 1单晶制备工艺过程: 装炉~ 抽空、置换一预热一化料一引晶、细颈一放肩一等径生长一尾部拉断一 …

The floor area required for the complete set-up including generator, closed loop cooling system, vacuum/gas system, control panel, operator’s platform and computer station is approx. 3 x 4 meters.

2024年9月5日 · 公司目前已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。 区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。 其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。 因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。 由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适 …

FZ-14区熔晶体生长系统专为工业生产单晶硅晶体设计，能拉制最大直径100毫米、长度达1.1米的晶体。 该系统采用无接触熔化工艺，通过高真空环境和超纯氩气确保纯净度，并能控制氮气引入。

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。 根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。 在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。 并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。

简要描述： FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。 根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。 在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。 并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位 ...

Positive Ion Neutral Injector ?PINI? Consult PVA TePla Group's FZ 14-M brochure on DirectIndustry. Page: 1/2.

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。 根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。

本图片来自 深圳市矢量科学仪器有限公司 提供的 区熔晶体生长系统，型号为 FZ-14 的 PVA Tepla半导体行业专用仪器设备，产地为 美洲美国，属于 品牌，参考价格为 面议，公司还可为用户供应高品质的 采样示波器 、 8英寸通用物理气相沉积系统 等仪器。