FDS4435BZ_onsemi (安森美)_FDS4435BZ中文资料_PDF手册_价格 …
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。 此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。 FDS4435BZ …
FDS4435BZ/D MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH-30 V, -8.8 A, 20 m FDS4435BZ Description This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced …
FDS4435BZ onsemi | Discrete Semiconductor Products | DigiKey
FDS4435BZ – P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC from onsemi. Pricing and Availability on millions of electronic components from Digi-Key Electronics.
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FDS4435BZ是一款-30V P沟道PowerTrench®MOSFET，专门针对最小化导通电阻和维持低栅极电荷而设计，具有出色的开关性能。飞兆半导体最新的中压功率MOSFET是经过优化的功率开 …
FDS4435BZ_HXY MOSFET(华轩阳电子)_FDS4435BZ中文资料_PDF …
本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，最大连续电流高达9A。 适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合，具备卓越的开关性能和低导通电阻，确保高效能与稳定 …
Small Signal MOSFETs | FDS4435BZ - onsemi.cn
此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。 此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。 Product …
FDS4435BZ onsemi / Fairchild | Mouser 臺灣 - Mouser Electronics
These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R DS (ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary …
FDS4435BZ onsemi | 分立半导体产品 | DigiKey
来自 onsemi 的 FDS4435BZ – 表面贴装型 P 通道 30 V 8.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC。 DigiKey 提供数以百万计电子元器件的定价和供应信息。
Small Signal MOSFETs | FDS4435BZ - onsemi
This P–Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench ® process that has been especially tailored to minimize the on–state resistance. This device is well suited for Power …
FDS4435BZ-F085/D FDS4435BZ-F085 P-Channel PowerTrench ® MOSFET FDS4435BZ-F085 P-Channel PowerTrench® MOSFET-30V, -8.8A, 20m Features General Description This P …
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