微操纵仪 (Kleindiek Nanotechnik MM3A)具有纳米级的步进精度，X轴和Y轴的转动量为120度，于水平进退（X轴）、水平转动（Y轴）以及垂直转动（Z轴）方向，的位移精度分别为2、2.5、0.2nm。 MM3A微操纵仪由压电马达、针尖组件、控制单元和外围支架组成。 压电马达由定子和滑块组成。 压电马达由伸长量为1um的压电陶瓷实现高精度位移，马达驱动电压为-80v~+80v，驱动模式分为精调模式和粗调模式各三档，采用一个12位数模转换器，将X、Y和Z方向的步进分 …

2022年9月27日 · FIB算是失效分析（Failure Analysis）的一种，是在Silicon回来之后，使用离子束去改变一些逻辑，比如CUT，CONNECT，这个使用在一个或者几个Die上的，这个并不会改变掩膜版（MASK），所以FAB生产出来的，和FIB之前的一样。

Focused ion beam, also known as FIB, is a technique used particularly in the semiconductor industry, materials science and increasingly in the biological field for site-specific analysis, deposition, and ablation of materials. A FIB setup is a scientific instrument that resembles a scanning electron microscope (SEM).

近年来发展起来的聚焦离子束技术 (FIB)利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，配合扫描电镜 (SEM)等高倍数电子显微镜实时观察，成为了纳米级分析、制造的主要方法。 目前已广泛应用于半导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析等。 二、FIB技术的基本构成. 1、离子源. 液态金属离子源 是 FIB 系统的核心部件，其中液态镓离子源最为常见。 镓金属在加热至熔融状态后，形成尖锐的发射极。 在强电场作用下，镓原子逐个或少量地被抽取出离子，进入加速电场 …

聚焦离子束FIB切片技术的基本原理是利用高能离子束将目标样品进行切割。 首先，通过离子源产生离子束，经过聚焦透镜和扫描电极后，形成极细的离子束。 该离子束在样品表面聚焦并扫描，通过物理撞击和化学反应，将目标样品逐层剥离，从而实现切割。 (a) FIB-SEM双束系统工作原理示意图; (b) Ga离子束与样品的相互作用示意图; (c) FIB离子束可是样品的示意图; (d) FIB离子束和GIS系统在样品表面进行诱导沉积的示意图。 FIB-SEM可以简单理解为单束聚焦离子束系统与 …

FIB circuit edit is performed using a finely focused gallium (Ga+) ion beam with nanoscale resolution. It is possible to image etch and deposit materials on an IC with an extremely high level of precision.

2013年5月2日 · FIB是英文字Focused Ion Beam的缩写, 中文名叫做聚焦离子束, 简单的来说FIB就是帮客户的芯片做手术, 手术的方式分为连线跟切线, 连线就是我们所说的Line, 切线就是我们所说的Cut.

FIB (聚焦离子束)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与 SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。 FIB 系统除了在芯片加工中的应用外,最重要的一项应用之处就是在芯片设计中,用 FIB可以对芯片中电路进行编辑,也可以从 IC 线路中引出测试点以便进行 …

特別當製程來到16奈米(nm)以下的製程，包裝型式多數為覆晶技術(Flip Chip)，因此FIB電路修補就必須從晶片背面(簡稱晶背，Backside)來執行，整體困難度也隨之增加。

2019年3月13日 · 宜特早年是从IC FIB电路修补起家，2015年时完成20/16奈米(nm)芯片正面的电路修补技术，并于2016年挑战完成16奈米的IC 晶背(Backside)FIB电路修补技术(参见图一)。