2020年8月24日 · mram（磁性只读存储器）和fram（铁电ram）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。

多年来出现过不同风格的 MRAM 存储器，使 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越来越有吸引力；当下的 MRAM 家族成员包括了三类：自旋转移扭矩 (spin-transfer torque ：STT)、自旋轨道扭矩 (spin-orbit torque：SOT)、电压控制（VCMA-和 VG-SOT）。

FRAM technology has an inherent asymmetry in the hysteresis behavior of the memory elements. The bottom electrode has a higher thermal budget compared to the top electrode,

新型的存储器既具有ram的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 铁电随机存储器（fram)fram的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存…

2024年6月2日 · FRAM（Ferroelectric Random Access Memory，铁电随机存取存储器）和 MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁阻随机存取存储器）的主要区别在于它们的存储原理和特性。

2021年7月9日 · mram（磁性只读存储器）和fram（铁电ram）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。 它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料 技术 都是性能突破的背后。

mram或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1t-1mtj）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。 由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。

Comparing Technologies: MRAM vs. FRAM EXTENDED TEMPERATURE Extended temperature FRAM (Industrial and Automotive (AEC-Q100 Grade 1)) typically requires the use of a 2T-2FC architecture. This architecture allows for a self-reference read compensating for a weakening polarization (signal margin) at higher operating temperatures.

2024年6月23日 · fram和mram为不同类型存储器，fram具备非易失性、高擦写次数、速度快、功耗低特点，mram则具有非易失性、无限次重写、写入快、功耗低及高整合度。 两者各有优势，适用于不同领域。

2024年1月9日 · M RAM （磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。 它们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，创新的材料技术都是性能突破的背后。 由摩托罗拉和IBM率先开发的MRAM，通过将某些奇异材料暴露在磁场中而产生的数据位，随着存储单元中电阻变化而存储。 MRAM或磁性随机存取存储器使用具有铁磁性材料的磁性“状态”的1 晶体管 –1磁性隧道结（1T-1MTJ）体系结构作为数据存储元素。 由 …