
铁电隧道结的结构,原理以及作用? - 知乎
铁电隧道结(ftj)是一种以铁电超薄膜为势垒层,在其两面夹以电极的异质结构。ftj结构有2个最明显的新特性:量子隧穿效应和电阻反转效应。施加电压的变化会导致铁电薄膜晶格的应变,而晶格应变决定势垒层厚度的变化,因此电压的变化影响隧穿电流的变化。
中科院物理所金奎娟和葛琛Adv. Mater.:可复制的超薄铁电阈转换 …
2020年2月23日 · 科学家们已经提出了各种类型的忆阻器,例如导电细丝存储器,相变存储器(PCM),基于离子迁移的电阻开关存储器以及铁电隧道结(FTJ)。 在这些设备中,模拟人工突触设备和执行神经网络操作的有前途的是FTJ,FTJ是一种超薄铁电薄膜,由两个电极夹持,其电阻取决于极化方向。 成果简介. 在这个工作中, 中国科学院物理所的葛琛教授和金奎娟教授展示了一种基于Pt/BaTiO 3 /Nb掺杂SrTiO 3 FTJ器件的超低能耗的人工突触。 具有金属/铁电/半导体结 …
Metal–Ferroelectric–Semiconductor Tunnel Junction ... - IEEE Xplore
2023年5月4日 · Design parameters from FE layer thickness, polarizations, and coercive field to silicon doping and metal work functions are studied, with their impacts on key FTJ FoMs evaluated. The essential physics of the ferroelectric tunnel junction (FTJ) is assessed with technology computer-aided design (TCAD) simulations and analytical models.
实现下一代“存内计算”的关键:铁电记忆体的挑战与未来机会
2022年3月9日 · Near-Memory Computing是透过先进封装技术以晶片层级整合(die-level integration)将运算晶片与记忆体晶片整合在一起,或将运算电路与记忆体电路以积层型(monolithic)的制程方式,进行垂直式元件层级整合(device-level integration),目标均是让资料运算单元与记忆储存单元两者更为接近,减少传输的距离。 克服冯诺伊曼架构限制的In …
[飞天狙/三角洲] FTJ一分钟就能看懂的无伤狙掉老太不掉红头的教 …
【飞天狙】ftj此生必看15秒, 飞天狙惊天游龙自雷,致敬传奇耐炸王动力小子
[飞天狙/三角洲]FTJ此生必看老狙游龙20S - 哔哩哔哩
简介:FTJ这下有福了 老狙化身曼巴一肘三 关注主播@飞天狙想要努;已有1485名玩家向您推荐本视频,点击前往哔哩哔哩bilibili一起观看;更多实用攻略教学,爆笑沙雕集锦,你所不知道的游戏知识,热门游戏视频7*24小时持续更新,尽在哔哩哔哩bilibili 视频播放量 ...
FTJ.CO | Dive into the legacy of champions with the Colnago C40 Mark …
451 likes, 9 comments - ftj.co on February 15, 2024: "Dive into the legacy of champions with the Colnago C40 Mark I. A masterpiece that has powered riders to victory in the toughest races around the globe. From the cobblestones of Paris-Roubaix to the summit finishes of the Grand Tours, the C40 is a symbol of endurance, innovation, and triumph.
华东师大成岩团队Device:高开关比铪基铁电隧穿结_澎湃号·湃客_ …
2023年7月8日 · 铪基ftj具有出色的多级电阻调制能力,进一步模拟了在人工突触方面的应用。 LTP和LTD的最小非线性值分别为2.28和2.38(图5D)。 基于可重复的电导率随脉冲数的变化(图5E),把FTJ用于模拟识别MNIST数据库。
铁电隧道结:前景、成就和挑战,Journal of Physics D: Applied …
铁电隧道结(ftj)因其基于超薄铁电体自发极化方向的快速运行及其简单的两端结构而成为当前研究兴趣的主题。 由于FTJ具有非破坏性读出、运算速度快、能耗低和高密度集成等优点,它们最近被认为是非易失性下一代存储器的有希望的候选者。
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