2024年12月5日 · In this article, we have designed an optimized ferroelectric tunnel junction (FTJ) device structure that inserts 3-nm Al2O3 between Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) films. The Al2O3 interlayer can block the longitudinal growth of HZO grains and increase the number of ferroelectric domains.

2025年1月15日 · The ferroelectric tunnel junction (FTJ) is a competitive candidate for post-Moore nonvolatile memories due to its low power consumption and nonvolatility, with its performance being strongly dependent on the conditions for contact between the ferroelectric material and the metal electrode.

2023年7月8日 · pt/（1.5 nm）hzo/nsto ftj具有超大的on/off比，有利于非易失性多态存储，这是高密度集成存储系统最重要的特征之一。 在本研究中，通过施加负向脉冲电压（从0到-8.0 V，间隔为-0.25 V）得到了32个电阻状态（每个单元5 bit）（图5A）。

2023年5月4日 · With the essential physics captured, FTJ figure-of-merits (FoMs) are accessed with not only tunneling electroresistance (TER), but also power consumption. Design parameters from FE layer thickness, polarizations, and coercive field to silicon doping and metal work functions are studied, with their impacts on key FTJ FoMs evaluated.

2025年1月1日 · Ferroelectric tunnel junctions (FTJs) based on AlScN ferroelectric material are investigated. A multiscale simulation approach for AlScN FTJs is developed. The results show improved tunnel electroresistance (TER) ratio by using a graphene contact in the FTJ.

铁电隧道结（FTJ）是一种以铁电超薄膜为势垒层，在其两面夹以电极的异质结构。 FTJ结构有2个最明显的新特性：量子隧穿效应和电阻反转效应。 施加电压的变化会导致铁电薄膜晶格的应变，而晶格应变决定势垒层厚度的变化，因此电压的变化影响隧穿电流的变化。 FTJ概念的提出对铁电薄膜的应用和理论研究提出了新的课题和挑战。 铁电隧道结通过极化反转改变了电子隧穿透射率而导致了阻性开关。 如上图所示，厚度为6纳米的Pb (Zr0.52Ti0.48)O3的伏安特性曲线呈现出两个 …

2020年2月23日 · 在这些设备中，模拟人工突触设备和执行神经网络操作的有前途的是FTJ，FTJ是一种超薄铁电薄膜，由两个电极夹持，其电阻取决于极化方向。 成果简介. 在这个工作中， 中国科学院物理所的葛琛教授和金奎娟教授展示了一种基于Pt/BaTiO 3 /Nb掺杂SrTiO 3 FTJ器件的超低能耗的人工突触。 具有金属/铁电/半导体结构的FTJ器件在高电阻状态（HRS）时在半导体表面上具有额外的耗尽区。 通过分析随时间变化的传输和压电响应力显微镜测量，研究了FTJ器件的域 …

2024年1月1日 · 本研究提出了一种新型的FTJ结构，即由铁电材料（BaTiO₃）和介电材料（SrTiO₃）组成的复合障垒结构。 通过对一种典型的FTJ系统进行理论建模，研究了不同偏置电压下的传输特性和隧道电阻比。

铁电隧道结（ftj）因其基于超薄铁电体自发极化方向的快速运行及其简单的两端结构而成为当前研究兴趣的主题。 由于FTJ具有非破坏性读出、运算速度快、能耗低和高密度集成等优点，它们最近被认为是非易失性下一代存储器的有希望的候选者。

21世纪初，随着实验制备技术的提高和纳米级铁电性的实现，使得铁电隧道结（Ferroelectric Tunnel Junctions, FTJs）的制备成为可能。 2005年，美国内布拉斯加大学Tsymbal小组的Zhuravlev等人提出巨电致电阻（Giant Electroresistance, GER）的概念，并首次对铁电隧道结的开关机制作了理论诠释（现在一般称为隧穿电致电阻,Tunneling Electroresistance, TER）；同年，德国科学家Kohlstedt等人也对铁电隧道结的电流-电压曲线作出了理论解释。