2016年6月16日 · A novel three-dimensional (3D) NAND structure containing both vertical gate (VG) framework and gate-all-around (GAA) cell structure is innovated and demonstrated. It is fabricated on alternating layers of silicon dioxide (OX) …

GAA 全称 Gate-All-Around ，是一种环绕式栅极技术晶体管，也叫做 GAAFET。 它的概念的提出也很早，比利时 IMEC Cor Claeys 博士及其研究团队于 1990 年发表文章中提出。

2023年4月11日 · 台積電董事長劉德音曾提到，若要兼顧ESG和高算力表現，先進製程和3D IC先進封裝將是2大關鍵。 本期《數位時代》分別以電晶體運作、2.5D/3D封裝及晶圓堆疊製作圖 …

2023年10月22日 · 正是基于这一原因，全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET）被广泛认为是鳍式结构的下一代接任者。 在2019年的三星晶圆制造论坛（Samsung Foundry Forum）上，三星明确表示将会在3纳米节点放弃鳍式结构，转向全环绕栅极技术。 在刚刚过去的台积电第26届技术研讨会上，台积电也正式宣布将在2纳米节点引入全环绕栅极技术。 目前英特尔仍然受困于7纳米技术难产，尚未给出具体的计划何时引入全环绕栅极技术。 但英特尔的首席技术官麦克迈克· 梅 …

We explore GAA transistor design elements for performance scaling beyond 2nm technology node. We examine the various resistance components of a 1st generation G

We consider GAA transistor performance, SRAM cell design, and MOL/BEOL interconnect resistance reduction at N2 node dimensions. We demonstrate schemes to reduce the N2 GAA resistance components to improve the transistor drive current and evaluate circuit performance using our MSCO™ simulation platform.

2024年10月15日 · 全环绕栅极（GAA）被认为是解决FinFET技术瓶颈的关键。 在GAA架构中，栅极完全包围晶体管的沟道，提供了更强的电流控制能力，进一步减少漏电并提升性能。

目前三星东芝等厂已经可以量产128层堆叠的3D闪存，看了些资料存储器件的GAA结构中沟道是纵向的，而似乎将…

2024年11月14日 · GAA技术主要解决晶体管性能问题，而3D NAND Flash则专注于存储密度的提升。 两者虽然是不同领域的技术，但都推动了三星在半导体行业的发展。 中国IC交易网 (www.dram.com.cn)是IC电子元器件的专业平台。 IC网站,IC型号,IC供求,IC资讯,IC走势,IC报 …

2022年6月20日 · GAA 是一种下一代工艺技术，它改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触晶体管的所有四个侧面，而不是当前 FinFET 工艺中的三个侧面。 GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。