MACOM’s GaN MMIC portfolio stands at the forefront of industry performance, backed by over 30 years of proven expertise in aerospace and defense system design. Leveraging both GaN-on-SiC and GaN-on-Si process technologies, MACOM enables next-generation system architectures across a wide range of applications—from phased array radars to ...

2024年4月29日 · 文献报道了一款K波段收发多功能GaAsMMIC芯片,基于0.15μm GaAs pHEMT功率工艺制作,接收支路在19.6~23.0GHz内增益大于23 dB,增益平坦度为士0.2dB,噪声系数低于3.5dB;发射支路在21~23GHz增益大于25.6 dB,饱和输出功率为23.3dBm,效率达到25.2%。 该多功能芯片接收/发射由单刀双掷开关控制。 2015年彭龙新等使用0.15μm GaAspHEMT 功率工艺研制了毫米波高性能收发多功能芯片 (如图1)。 由于频率较高功率较大,发射/接收切换开关外接。 …

2015年11月30日 · In this paper we present an overview of GaN MMIC technology, focusing on device characteristics, reliability, and high frequency performance. We also introduce emerging GaN technologies such as GaN-on-diamond and the heterogeneous integration of …

一个是高性能的mmic，主要适用于前向的探测，提供高分辨率以及长距离的探测；另一个是高集成度的soc，可降低成本，作为前向或者环视雷达，应用于辅助驾驶、自动泊车等。

In this work, we leverage 180 nm and 140 nm GaN technology to demonstrate MMIC chipsets covering the 4-18 GHz, 32-38 GHz, and 26-40 GHz frequency bands, achieving power as high as 40W and exceeding the current state of the art for output power per chip.

2024年7月3日 · A millimeter-wave (mmWave) gallium nitride (GaN) high-power amplifier (HPA) monolithic microwave-integrated circuit (MMIC) was implemented, considering a source via effect.

2024年7月30日 · GaN MMIC PAs are becoming more prevalent in the market with more frequency options and choices of bare die and packaged MMIC PA products than ever before. For more information, visit our power device web page and check out our GaN-on-SiC products .

2024年12月15日 · 单片微波 集成电路 （monolithic microwave integrated circuit），即在一块半导体上将有源器件和无源器件集成在一个电路的结构形态。 MMIC设计需要特定的工艺库，一般可在各大厂商中找到对应的PDK，然后导入到ADS中，就可以直接利用PDK里的有源器件和无源器件 模型 进行版图设计. 工艺线参数：90nm、60nm、0.25um，0.18um，实际物理意义为“半节距”、“物理珊长”、“制程线宽”等. 首先根据设计指标，确定初步的方案设计，包括衬底材料的选择、工 …

OMMIC is a supplier of MMIC circuits, Foundry Services and Epitaxial Wafers based on III–V (GaAs & GaN) materials. As a leader in advanced technologies, OMMIC provides its customers with cutting edge performance for Telecommunication, Space and Defense Applications. OMMIC: Flexible, customer oriented, with a strong Quality Policy

介绍了 KaKa 波段氮化镓 (GaN) 单片微波集成电路 (MMIC) 单芯片前端 (SCFE) 的设计、实现和测试。 该MMIC采用OMMIC的100纳米和60纳米栅极长度硅基氮化镓工艺实现，在4.7×3.04.7×3.0毫米芯片面积中集成了高功率和低噪声放大以及发送或接收选择开关。 SCFE 专为工作频率为 32 至 36 GHz 的有源电子扫描天线应用而设计。 在 RX 模式下，测得典型噪声系数为 3.2 dB，增益优于 3B。 在 TX 模式下，典型输出功率和功率附加效率 (PAE) 分别为 35 dBm 和 16%。 执行漏极 …