与硅材料的功率半导体不同，氮化镓晶体管通过两种不同禁带宽度（通常是AlGaN和GaN）材料在交界面的压电效应形成的二维电子气（2DEG）来导电，如图4所示。

与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 相比,氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) FET 可提高功率密度和效率。 尽管 GaN 和 SiC 均具有宽带隙,但它门之间存在根本差异,因此分别适合特定的拓扑和应用。 本文目的是比较两者在开关性能、成本和应用方面的差异,并说明各自提供的技术。 贝尔实验室的两位工程师在 20 世纪 50 年代发明了 MOSFET,在电力电子领域取得了重大突破。 几年后,第一个商用 MOSFET 投入生产。 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 自 20 世纪 80 年代 …

2022年3月30日 · GaN和SiC晶体管正变得唾手可得，以应对汽车电气设备的挑战。GaN和SiC器件的主要卖点是这些优势： 高电压能力，有650 V、900 V和1200 V的器件。 更快的开关速度。 更高的工作温度。 更低导通电阻，功率耗散最小，能效更高。 GaN晶体管

2023年3月22日 · 为什么我们的充电器用的都是 GaN 而不是 SiC 呢？ 两者有一个很大的区别是 热导率。 这使得在高功率高温等极限场景应用中，SiC 占据统治地位；而 GaN 具有更高的电子迁移率，因而能够比 SiC 或 Si 具有更高的开关速度， 在高频率应用领域，GaN 具备优势 。

Abstract: We present a comprehensive review and outlook of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) transistors available on the market for current and next-generation power electronics. Material properties and structural differences among …

2021年11月16日 · Two compound semiconductor devices that have emerged as solutions are gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) power transistors. These devices compete with the long-lived silicon power LDMOS MOSFETs and superjunction MOSFETs. GaN and SiC devices are similar in some ways but have significant differences.

2023年2月3日 · 氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)半導體現已量產，並迅速擴張其市佔率。 據市場研究公司Yole稱，到2027年底，GaN和SiC元件將佔功率半導體市場的30%，並進而取代矽MOSFET和IGBT。

5 天之前 · The 650-V battlefield: multilevel GaN vs. SiC Integrating drives, sense, and protection. When the topic of scaling GaN up to higher voltages came up, Speer jabbed the GaN team. “I see GaN companies trying to promote a 650-V solution with three levels for a traction inverter and I think, that’s because they have no choice,” he said. Speer ...

2025年1月23日 · GaN、SiC功率元件持续成长轨迹. 根据Yole Group的统计，2029年全球GaN功率市场将成长超过22.5亿美元，2023年到2029年间的年复合成长率(CAGR)达到44%；SiC功率元件市场更预期将在2029年突破百亿美元。

2 天之前 · Compact Design: GaN components are smaller than their SiC counterparts, which helps reduce the overall weight of the vehicle and increases range.. High Power Density: GaN devices can handle twice the power density of silicon MOSFETs, enabling smaller, more efficient onboard chargers.. Applications of GaN in EVs. GaN is primarily used in components where fast switching and compact design are ...