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Gallium nitride (Ga N) is a binary III / V direct bandgap semiconductor commonly used in blue light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure.

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4 天之前 · OPPO今日正式宣布，轻薄小直屏Find X8s以突破性1.25mm全球最窄四等边设计，重新定义直屏形态，配合创新「膨胀壁纸」视觉体系，赋予屏幕内容向外溢出的... 传统手机闪光灯在功能上较为单一，更多的是作为手电使用，而 X200 Ultra 的变焦闪光灯堪称行业创举。 这颗闪光灯支持长焦焦段，完美覆盖人像焦段，能够为拍摄提... 3 月 27 日消息，OPPO 官方宣布，全新 Find X8 系列暨移动智能生态新品发布会将于 4 月 10 日举行。 此次发布会的主角之一 ——OPPO …

2020年3月29日 · 生成式对抗网络（GAN, Generative Adversarial Networks ）是一种深度学习模型，是近年来复杂分布上无监督学习最具前景的方法之一。 模型通过框架中（至少）两个模块：生成模型（Generative Model）和判别模型（Discriminative Model）的互相博弈学习产生相当好的输出。 原始 GAN 理论中，并不要求 G 和 D 都是 神经网络，只需要是能拟合相应生成和判别的函数即可。 但实用中一般均使用深度神经网络作为 G 和 D 。 一个优秀的GAN应用需要有良好的训 …

2014年6月10日 · We propose a new framework for estimating generative models via an adversarial process, in which we simultaneously train two models: a generative model G that captures the data distribution, and a discriminative model D that estimates the probability that a sample came from the training data rather than G.

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生成对抗网络 （英語： Generative Adversarial Network，简称 GAN）是 非监督式学习 的一种方法，通過两个 神经網路 相互 博弈 的方式进行学习。 该方法由 伊恩·古德费洛 等人于2014年提出。 [1] 生成對抗網絡由一個生成網絡與一個判別網絡組成。

而Conditional GAN就是在原来的GAN模型中加入一些先验条件，使得GAN变得更加的可控制。 具体的来说，我们可以在生成模型G和判别模型D中同时加入条件约束y来引导数据的生成过程。

Torrance, CA – February 21st, 2025 — Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), the only pure-play, next-generation power semiconductor company and industry leader in gallium nitride (GaN) power ICs and silicon carbide (SiC) technology, has announced it will attend APEC 2025 and highlight the latest advances in GaN and SiC wide bandgap technologies for AI data center EV, and mobile applications ...